大功率垂直腔表面发射激光器的新进展.docVIP

大功率垂直腔表面发射激光器的新进展 0 引言 1977年，日本东京工业大学以KENICH／I为首的研究小组首次提出垂直腔面发射激光器(Vertical—Cavity Surface-Emitting Lasers，VCSELs)的概念，并于1979年实现InGaAs／InP VCSELs在低温下脉冲激射IlJ，1984年，实现了VCSELs的室温连续脉冲工作。1991年，Califiomia大学GEEL R S等人实现980 nnl、InGaAs／GaAs VCSELs室温连续激射，1996年，Honeywell推出了世界上第一支商品化850 nm VCSELs器件，随后Emcore、Picolighi等公司也相继开始提供VCSELs产品。1997年，以Kuznetsov为首的研究小组第一次实现了以半导体激光器泵浦InGaAs／GaAs垂直外腔面发射激光器(Vertical-External—Cavi黟Surface-Emitting Lasers’VECSELs)产生980 nln激光输出[21。目前相干公司已推出了商品化6．25 W，532 nlll VECSELs器件。文中将就大功率垂直腔面发射激光器及垂直外腔面发射激光器的结构特性，最新的研究进展进行介绍。并在此基础上，分析了面发射激光器的应用前景和发展方向。 1 垂直腔面发射激光器 1．1 VCSELs的器件 其结构中间是有源区，一般由量子阱组成；有源区的两侧是限制层，夹在两个高反镜(分布式布拉格反射镜，DBR)之间；DBR由厚度为A／4的两种折射率差异较大的材料交替生长而成，DBR的反射率一般在99．5％～99．9％之间；在衬底和P型DBR的外表面需要制作金属接触层，形成欧姆接触，并在衬底上制成一个圆形出光窗口，输出圆形的激光束。通常P型DBR与有源区之间有一个ALAs层，这一层经选择氧化后变成低折射率的牢固的隔离氧化物A1203，形成氧化限制层，这样就可以与边发射激光器(Edge．Emitting Lasers，EELs)相比，VCSELs技术具有众多优点，体现在以下方面： (1)光束质量 VCSELs的出射光是圆形光束。通过适当优化设计的VCSELs还可以发出一个单横模光束(圆形高斯光束)。这个简单的光束结构，大大降低了耦合，光束整形系统复杂性和成本(与EELs相比)，同时增加与光纤的耦合效率或泵浦效率。 (2)波长稳定性 VCSELs的激射波长是很稳定，因为它由较短(1^)Fabry—Perot腔确定。与EELs相反，VCSELs只能在一个单纵模下工作。VCSELs发射波长的温度漂移系数很小(o．07 nm／℃)，只有EELs的1／5，当温度改变20℃时，VCSELs激射波长随温度漂移小于1．4 nm(EELs为7 nm)。其原因是VCSELs的激射波长是由单纵模谐振腔的光学厚度决定的，而温度对光学厚度的影响很小(折射率和谐振腔的物理厚度对温度只有很弱的依赖关系)。EELs激射波长由峰值增益波长决定，而峰值增益波长对温度有较强的依赖关系。因而，与EELs列阵(bar条或叠阵)相比，大功率VCSELs列阵的谱宽要窄得多。 (3)可靠性 因为VCSELs不受光学灾变损伤(COD)的影响，其可靠性远高于EELs。VCSELs典型的FIT值(十亿器件小时失效数)小于10，通信级EELs的FIT值大约为500。工业级高功率的EELs列阵(bar条或叠阵)的FIT值更高。 (4)制造工艺及产量 VCSELs简单的制造工艺一直是这项技术的巨大优势。由于复杂的工艺和涉及到的COD可靠性的问题，EELs的产量较低(980 m泵浦用EELs芯片制造商通常从6．66 cm(2寸)圆晶中只得到大约500管芯)。而VCSELs的产量超过90％(相当于从2寸圆晶得到大约5 030大功率管芯)。事实上，因为它的二维特性，VCSELs的制造与标准硅集成电路加工完全相同的。大功率VCSELs的一个关键优势是，他们可以直接加工成单片二维阵列，面这对EELs来说是不可能的(只可能实现一维列阵)。 (5)封装及散热问题 封装大功率VCSELs二维列阵很简单(类似微型处理器封装)，热量只需穿越只有几微米的P型DBR，热输运过程效率很高。冷却系统变得十分简便。现有的硅集成电路的散热技术可以用于大功率VCSELs二维列阵的散热上。这将明显降低模块的成本。 1．2大功率VCSELs的新进展 目前，世界上只有少数几家科研单位、公司开展了大功率VCSELs的研究，主要有德国的ULM大学、美国的普林斯顿光电子公司以及中国的中国科学院长春光机所等单位。2001年德国ULM大学实现了980 ilnl、直径320 tunVCSELs单管室温连续工作，最大输出功率为0．89 Wi19个单管组成的二维面阵室温连续工作最大输