内容精简(一).ppt

内容精简（一） 电压、电位、电动势的关系 输入特性 输出特性 电流放大系数β 集电极最大允许电流 ICM 集-射极反向击穿电压 U(BR)EOC 集电极最大允许耗散功率PCM 按结构特点分：结型（JFET）和绝缘栅型（IGFET） 按导电沟道的不同还可分为：N沟道和P沟道，而绝缘栅型又可细分为N沟道增强型和耗尽型，P沟道增强型和耗尽型两种。 基本上不需要信号源提供电流 输入阻抗很高（可达109~1015?） 受温度和辐射等外界因素影响小，制造工艺简单、便于集成化等； 只有多数载流子参与导电，所以又称其为单极性晶体管 （1）夹断区（截止区） 在一定的UGS下，当UDS增大道一定程度时，漏极电流急剧增加，称为场效应管被击穿。 开启电压UGS（th） 当UDS为某一固定数值时，使沟道将漏、源极连结起来的最小的栅源电压UGS就是开启电压UGS（th）它只适用于增强型场效应管。 相关概念 1、半导体材料 2、本征半导体 3、杂质半导体：P型、N型； 4、共价键、稳定结构，价电子； 5、载流子：自由电子、空穴； 6、激发、复合、漂移运动、扩散运动； 7、PN结：空间电荷区。 §1.4 　电子器件 符号 P N 正极 负极 ( a ) 负极 正极 ( b ) §1.4 　电子器件 半导体二极管 半导体二极管的伏安特性 U I 死区电压 硅管0.5V,锗管0.2V。 导通压降: 硅管约0.7V,锗管约0.3V。 反向击穿电压UBR 反向漏电流 最大整流电流 1、直流电阻RD §1.4 　电子器件 半导体二极管-参数 2、交流电阻rD 3、最大整流电流IF 4、最大反向工作电压URM 5、反向电流IR  §1.4 　电子器件 半导体稳压二极管 符号 半导体稳压管的伏安特性 P N 正极 负极 ( a ) 负极 正极 ( b ) U I 死区电压 硅管0.5V,锗管0.2V。 导通压降: 硅管约0.7V,锗管约0.3V。 稳定电压UZ 反向漏电流 最大整流电流 1.稳定电压UZ 2.额定功耗PZ §1.4 　电子器件 半导体稳压二极管-参数 3.稳压电流IZ 4.动态电阻rZ 5.温度系数α V Z U i ＋ － U o ＋ － R R L I L I Z §1.4 　电子器件 半导体稳压二极管稳压电路——并联稳压电路 并联稳压电路正常稳压的工作条件 Izmin IZIZmax §1.4 　电子器件 　双极型晶体管-符号、结构与放大原理 ( a ) NPN c e b PNP c e b ( b ) c I C e I E N P N I B R C U CC U BB R B I CBO 15V b I BN I EP I EN I CN §1.4 　电子器件 双极型晶体管-工作原理 §1.4 　电子器件 双极型晶体管的特性 0 0.4 20 0.8 40 60 80 UBE(V) IB(?A) UCE?1V 安全 工作区 §1.4 　电子器件 双极型晶体管的三个工作区 正偏 反偏 反偏 集电结 正偏 正偏 反偏 发射结 饱和 放大 截止 晶体管三个工作区判定 PN结状态 §1.4 　电子器件 晶体管正常工作时极性与三个脚判别 1、已知三个引脚的电位；2、中间电位的引脚为基极；3、电位与中间电位较接近的引脚为发射极；4、电位与中间电位差距大的引脚为集电极；5、集电极电位高于发射极时为NPN型管，否则为PNP型管；6、晶体管接近饱和时，即集电极电位与基极电位接近时无法判断极性。 §1.4 　电子器件 双极型晶体管-主要参数 §1.4 　电子器件 场效应管的分类、符号与结构 S 源极 B 衬底 D 漏极 G 栅极 符号图 栅极 P型硅衬底 源极 漏极 衬底 §1.4 　电子器件 特点 §1.4 　电子器件 绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理 增强型场效应管只有在只有在UGS＞ UGS（th）时，调节UGS，改变导电沟道的厚度，从而在相同的UDS 作用下，有效的控制漏极电流ID的大小。 §1.4 　电子器件 绝缘栅型场效应晶体管-特性曲线 转移特性 N 沟道增强型 MOSFET的转移特性 输出特性 §1.4 　电子器件 §1.4.6 绝缘栅型场效应晶体管-特性曲线-输出特性 N沟道增强型MOSFET的输出特性如图所示。它分为恒流区、可变电阻区、截止区