半导体器件原理Chapter2.ppt

半导体器件物理 第二章 p-n结 §2.1 pn结基本原理 §2.2 耗尽区和耗尽层电容 §2.3 pn结的直流特性 §2.4 pn结的瞬态特性 §2.5 pn结击穿 §2.6 异质结与高低结 §2.1 pn结的基本原理 PN结简介 热平衡下的pn结 耗尽近似条件 PN结简介 pn结作为整流、开关及其他用途的器件，同时也是半导体微波器件及光电器件的基本结构，也是双极型晶体管、可控硅整流器和场效应晶体管的基本组成部分。 pn结最重要的性质是整流效应，即只允许电流一个方向通过。 典型的伏安特性：加正向偏置电压时，电流随偏压的增加而迅速增大，通常正向偏压1V。加反向偏压时，开始时几乎没有电流，反向电压增加时，电流一直很小。当电压加到一个极限值时，电流突然增加，这种现象称为结击穿，反向击穿电压大约10V～10KV，与掺杂及器件其他参数有关。 理想二极管 平面工艺中主要工序 （1）外延生长 （2）氧化 （3）扩散 （4）离子注入 （5）光刻 ? 晶体生长与外延 —从熔体中生长单晶：直拉法(Si)和布里奇曼法(GaAs) 原材料：石英砂 SiC(固体)+SiO2(固体)?Si(固体)+SiO(气体)+CO(气体) 冶金级硅 电子级硅（ppb量级） 硅片成形:前处理?切片?双面研磨?抛光 —外延：除常规外延工艺(如气相外延VPE)外，还有液相生长法（广泛应用于化合物半导体）及绝缘体上硅分子束外延等。 ? 氧化与薄膜淀积 —四大类薄膜： 热氧化膜、电介质膜、多晶硅膜和金属膜 —热氧化膜：如栅氧化层、场氧化层 —介质膜：如淀积的SiO2、Si3N4膜（绝缘层、掩蔽膜、覆盖在掺杂的薄膜上、钝化） —多晶硅膜：MOS栅、多层金属化的导电材料、浅结器件的接触材料 —金属膜：如铝和硅化物（欧姆接触、整流、互连线） ? 扩散与离子注入 用可控制数量的杂质掺入半导体 ?扩散：掺杂分布主要由扩散温度及扩散时间决定，用于形成深结： 扩散流密度F(单位时间通过单位面积的杂质原子数）： C为杂质浓度，D是扩散系数 ?扩散过程的基本起因是浓度梯度 ?扩散结果评价：结深（染色法）、薄层电阻（四探针法）、扩散层杂质分布（SIMS） ?杂质再分布 ?离子注入：掺杂分布主要由离子质量和注入离子的能量决定（典型的离子能量是30-300keV,注入剂量是在1011-1016离子数/cm2范围），用于形成浅结 ?由于离子注入形成损伤区和畸变团，为了激活注入的离子：退火 ? 光刻—图形曝光与刻蚀 —0.1?m以内仍采用光学光刻技术 —短波长的射线：1nm波长软X射线、13nm波长极紫外线、电子束曝光 1. 热平衡下P区与N区的费米能级相等 所谓平衡P-N结，即指无外界作用且温度恒定的P-N结。 费米能级在整个样品内必须为常数。 耗尽近似条件 “耗尽近似”条件 在P-N结的理论分析中，为简化问题的处理，常常假设空间电荷区中正负电荷密度完全由电离杂质浓度决定，从而忽略自由载流子的影响。 耗尽区 从中性区向结移动时，将遇到一个狭窄的过渡区，此处的杂质离子部分地被可动载流子补偿，经过过渡区就是完全耗尽区，其中可动的载流子浓度为零，这个区称为耗尽区，也叫空间电荷区。 一般地，对Si，GaAs的p－n结，过渡区的宽度远小于耗尽区，可以忽略过渡区。 §2.2 耗尽区（耗尽层）和耗尽层电容 求解泊松方程，必须知道杂质分布。 PN结大致可以分为两种： （1）突变结：PN结两区中的杂质浓度为均匀分布，且在交界面处发生杂质突变。如果一区的杂质浓度远高于另一区，称为单边突变结 P+N或 N+P结。由合金、浅扩散或低能离子注入形成。 （2）线性缓变结：结附近，其杂质分布是缓变分布的，可以用直线近似，其斜率称为杂质浓度梯度。由深扩散或高能离子注入制得的结。 1. 突变结 空间电荷区宽度向低掺杂浓度一侧展宽 泊松方程 电势分布 X=0处，电场有最大值。 若取x=0处的电势为零， 内建电势 由NA?xp=ND?xn以及xp+xn=W。可以求得： 耗尽区宽度 例：硅的单边突变结，NA＝1019cm－3，ND＝1016cm－3，求零偏压下300K时耗尽层宽度和最大电场强度。 除了考虑杂质浓度外，还考虑到自由载流子的影响时，则在P型侧有?(x)=-q[NA-p(x)],在N型侧有?(x)=q[ND-n(x)]的关系，由此进行简单修正后可以得到更精确的耗尽层宽度，这种简单模型对大多数突变结作出了相当好的预言。 对极不对称的结，或超浅结，为了得到精确结果，需进行数值分析。 2.线性缓变结 对于线性缓变结，其杂质分布可表示为 由结对称，两边耗尽区宽度为W/2，利用耗尽近似条件，空间电荷分布为 泊松方程 由电场边界