半导体物理_第一章.ppt

半导体物理与器件Semiconductor Physics and Devices中北大学电子科学与技术系张国军E-mail: zhangguojun1977@nuc.edu.cnTel: 3920399 (O) (m) 本课程的讲授内容 第一章 固体的晶体结构（2学时） 第三章 固体量子理论初步 （6学时） 第四章 平衡状态下的半导体（7学时） 第五章 载流子输运与过剩载流子现象（7学时） 第六章 半导体中的非平衡过剩载流子 （9学时） 第七章 PN结 （4学时） 第八章 pn结二极管 （7学时） 第九章 金属半导体和半导体异质结 （5学时） 第十章 双极晶体管（10学时） 第十一章 金属－氧化物－半导体场效应晶体管基础 （10学时） 第十二章 小尺寸MOS器件物理（5学时）总计：72学时 本课程的目标 通过本课程的学习，学生将全面了解电子科学与技术与微电子学专业的基础知识与基本技能、应用领域及研究热点、学科方向与发展趋势等内容，为学生进入相关研究领域或相关的交叉学科，打下一个初步的理论基础。 教材与参考书教材：推荐教材为电子工业出版社出版的《半导体物理与器件》，作者Donald A.Neamen。参考书：顾祖毅，田立林等《半导体物理学》， 电子工业出版社，1995。刘恩科 《半导体物理学》，西安交通大学出版社，2003。 曹培栋《半导体器件》，电子工业出版社，2003   考核与记分方式平时成绩占20％，期末考试占80％。考试采用闭卷形式。 第一章固体的晶体结构本章学习要点：1. 了解半导体材料及其特点；2. 认识固体材料的三种主要结构类型；3. 理解几种基本的晶体结构以及晶向、晶面的概念；4. 了解不同固体材料中原子价键的区别；5. 熟悉晶体材料中的主要缺陷与杂质；6. 了解半导体单晶材料的主要生长方法； §1.1 半导体材料1. 半导体材料的主要特征： 元素周期表中与半导体材料相关的部分元素： 2. 半导体材料的分类：（1）元素半导体：完全由同一种元素构成的半导体材料，例如硅（Si）、锗（Ge）等。（2）化合物半导体：由两种或两种以上不同元素构成的半导体材料，例如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、碳化硅（SiC）、铝镓砷（AlGaAs）等。 几种不同类型的半导体材料 §1.2 固体材料的三种主要结构类型固体：处于凝固状态下的物体，通常具有一定的形状和体积。按其内部原子的排列情况可分为单晶，多晶和非晶三类。 §1.3 晶体的空间点阵结构1.原胞、晶胞与基矢：晶格（Lattice）：晶体中原子的周期性排列形式，分为简单晶格和复式晶格两大类。格点（Lattice point）：晶格中用来表示原子阵列的点； 2. 立方晶系基本的晶体结构：常见的三个基本的立方结构及其晶格常数（立方体的边长即为晶格常数）。（1）简单立方结构（SC）（2）体心立方结构（BCC）（3）面心立方结构（FCC） 3. 晶向、晶面与密勒指数：晶体的一个基本特点就是具有方向性。 假设a、b、c是晶体的三个独立的基矢，连接晶体中任意两个格点之间的矢量可以表示为：r=la+mb+nc 上式中l、m、n为整数或分数，习惯上我们一般选取与l、m、n成比例的三个互质整数u、v、w，并把它们放在方括号内[u v w]，用来表示特定的晶向。 由晶体中的原子排列所构成的平面称为晶面。密勒指数（布拉伐格子）：假设某个晶面与a、b、c轴的截距分别为pa、qb、sc，且p、q、s为整数，习惯上我们一般选取与p、q、s的倒数成比例的三个互质的整数h、k、l，即并把它们放在圆括号内(h k l)，用来表示特定晶面的取向。通常把这组晶面指数称为密勒指数。 4. 金刚石结构与闪锌矿结构： 图示为金刚石结构，锗、硅单晶材料均为金刚石结构，它是由两个面心立方结构沿体对角线方向平移1/4对角线长度套构形成。 晶体的结构决定了晶体的性质： 图示为闪锌矿结构，砷化镓等化合物单晶材料即为闪锌矿结构，它也是由两个面心立方结构套构形成。 §1.4 晶体中原子之间的价键原子或分子结合形成晶体，最终达到平衡时系统的能量必须达到最低。1. 离子晶体：离子键（Ionic bonding），例如NaCl晶  体等；2. 共价晶体：共价键（Covalent bonding），例如 Si、Ge以及GaAs晶体等