安徽大学2014王敏微电子学概论作业全版(附答案).ppt

9.静态随机存储器是如何存取信息的？ * * 由两个CMOS反相器的输入与输出互相连接构成的，该结构又称双稳电路。 （1）写信息：WL=1,M5/M6导通,BL/ 准备写;若写1,BL=1,则BL通过M6对Q强迫充电,Q=1;若写0, =1,则 通过M5对 强迫充电, =1; （2）存信息；WL=0,M5/M6截止.若存0,则Q=0, =1,M2/M3导通,M1/M4截止,维持Q=0, =1;若存1,则Q=1, =0,M1/M4导通,M2/M3截止,维持Q=1, =0; （3）读信息；WL=1,M5/M6导通,BL/ 预充 高电平.若读1,BL维持1， 通过M1/M5放电； 若读0, 维持1，BL通过M3/M6放电。 * 10.利用互补型CMOS设计复合逻辑门： * 第四章 作业参考答案 名词解释：化学气相淀积；物理气相淀积；蒸发；溅射；氧化；离子注入；接触；互连；通孔。 简述光刻的工艺过程。 介绍浅槽隔离工艺（STI）过程。 自对准多晶硅/硅化物结构salicide工艺流程。 Cu互连的双大马士革工艺过程及特点。 CMOS反向器的工艺流程。 * 化学气相淀积：也称为气相淀积。是指通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程。 物理气相淀积:利用某种物理过程实现物质的转移，即将原子或分子转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜的技术。 蒸发：在真空系统中，金属原子获得足够的能量后便可以脱离金属表面的束缚成为蒸汽原子，在其运动过程中遇到晶片，就会在晶片上淀积，形成金属薄膜。 溅射：溅射是真空系统中充入一定的惰性气体Ar，在高压电场的作用下，由于气体放电形成离子，这些离子在强电场作用下被加速，然后轰击靶材料，使其原子逸出并被溅射到晶片上，形成金属膜。 1. 名词解释： * 氧化：是在硅表面生长一层二氧化硅的过程。分为湿氧氧化和干氧氧化。 离子注入：是将具有高能量的带电杂质离子射入半导体衬底中的掺杂技术，它的掺杂深度由注入杂质离子的能量、杂质离子的质量决定，掺杂浓度由注入杂质离子的剂量决定。 接触：指硅芯片内的器件与第一金属层之间在硅表面的连接。 互连：指由导电材料，如铝、多晶硅或铜制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分。互连也被用作芯片上器件和整个封装之间普通的金属连接。 通孔：指穿过各种介质层从某一金属层到毗邻的另一金属层形成电 通路的开口。 1. 名词解释： * 2. 简述光刻的工艺过程。 光刻是利用光复印图形和材料腐蚀相结合的加工工艺，将图形转移到一个平面的任一复制过程。 光刻工艺一般都要经过涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀和去胶7个步骤。 在光刻过程中首先将液态的光刻胶滴在硅片上形成一层胶膜；然后对硅片进行前烘，形成牢固附着在硅片上的一层固态薄膜；用掩膜版进行曝光；采用特定的溶剂对光刻胶进行显影，使部分区域的光刻胶溶解掉；经过坚膜和刻蚀等工艺将光刻胶上的图形转移到硅片上；最后去胶，完成整个工艺过程。 * 3.介绍浅槽隔离工艺（STI）过程。 （1）氮化硅淀积 初始氧化一层垫氧层 淀积氮化硅层 （2）形成场隔离区 光刻场隔离区，光刻胶将非隔离区保护起来 反应离子刻蚀氮化硅 刻蚀硅沟槽 去掉光刻胶 （3）侧墙氧化与沟槽填充 侧墙氧化 化学气相淀积氧化硅 （4）氧化硅平坦化（CMP） （5）氮化硅去除 * 4.自对准多晶硅/硅化物结构salicide工艺流程。 在刻蚀多晶硅栅之后： （1）形成侧墙氧化层 氧化 利用反应离子刻蚀出侧墙隔离氧化物 （2）钛淀积 （3）快速热退火处理 （4）去除氧化硅上没有反应的钛 * 5.Cu互连的双大马士革工艺过程及特点。 工艺过程： （1）淀积氧化硅，并CMP （2）淀积氮化硅，并光刻出接触孔的位置 （3）刻蚀氮化硅，去除光刻胶 （4）淀积氧化硅，并CMP （5）光刻出金属连线的位置 （6）穿过两层氧化硅刻蚀 （7）淀积铜 （8）铜CMP 工艺特点：互连引线和互连通孔同时淀积， 同时只需对导电金属层做CMP，减少了互 连的工艺步骤、成本低。 * 6.CMOS反向器的工艺流程。 （1）初始材料准备 一般采用（100）晶向的硅片。 （2）形成N阱 初始氧化 淀积氮化硅层 光刻1版，定义出N阱 反应离子刻蚀氮化硅层 N阱离子注入，注磷 （3-1）形成P阱 在N阱区生长厚氧化层，其它区域被氮化硅层保护而不会被氧化 去掉光刻胶 去掉氮化硅层 P阱离子注入，注硼 （3-2）推阱 退火驱入 去掉N阱区的氧化层 （4）形成场隔离区 生长一层薄氧化层 淀积一层氮化硅 光刻场隔离区，非隔离区被光刻胶保护起来 反应离子刻蚀氮化硅 场区离子注入，用于抑制场