cmos多频带低噪声放大器设计 cmos multi-band low noise amplifier design.pdfVIP

25卷第6期 微电子学与计算机 Vd．25No．6 2008 2008年6月 MICROELE(mtONICS∞M田UTERJune 。 CMOS多频带低噪声放大器设计 deVreede2 施晓楠1，一，陆伟成1，唐璞山1，Leo (1复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室，上海201203； 2代尔夫特理工大学高科技实验室，2628CT)Delft，荷兰) 摘要：提出了一种多频带低噪声放大器的设计方法，可用于集成多个频段于一部终端的通讯设备．它不同于以往 bit的控制信号控制电 的电路结构，而是由共栅极作为输入，与一个共源极MOS管构成两级放大器，并通过使用2 路中的MOS开关，以调节电路工作在900MI-Iz、1．7GHz和2．4GI-Iz等三个不同的频带．电路使用先进的90nm工 dB增益压缩点分 艺库进行仿真，结果显示各频带的增益均大于16dB，噪声系数小于1．7dB，三阶交调点IIP3和1 别大于一2．5dBm和一15．5dBm，电路同时具备了扩展并包含更多频带的能力． 关键词：微电子学；射频电路设计；无线通信；多频带应用；低噪声放大器 中图分类号：TN402 文献标识码：A 文章编号：1000—7180(2008)06一o009—05 CMOSMulti-BandLowNoise AmplifierDesign SHI deVreede2 Xiao-nanl，一，LU Pu-shanl，Leo Wei—chen91，TANG State 201203，China； (1ASICSystemKeyLaboratory，FudanUniversity，Shanghai 2Delft of CD UniversityTechnology，HiTec Delft，Netherland) Group，2628 for low is from 11S· Abstract：A the of noisemulti—band works。it n聊approachdesign amplifiersgiven．Differentprevious esa cascaded o嘎n咖一3蹑】roe a2bit tO inputstage degenerated stage．Byusing signal txmmaon-gate with姐inductively earlbe 900MHzto1．7G比and2．4GHz．Simulatedinad- controla嶙switches。the