mg掺杂algan的特性研究 properties of mg-doped algan films.pdfVIP

纳米材料与结构 Nanomateria Mg掺杂AIGaN的特性研究 吴超8’6，谢自力“6，张荣8，v，张 曾“6，刘 斌“6，刘启佳“6， 聂 超“6 李 弋8…，韩 平舢6，陈 鹏8’b，陆 海“b，郑有蚪8小 (南京大学丑物理学系；b．江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京210093) 摘要：采用金属有机物化学气相淀积方法在Al：O，衬底上生长不同浓度Mg掺杂的Al；Ga，一，N 舍金薄膜，并在750℃、N：气氛下对Mg进行热退火激活。用X射线衍射03—20扫描计算确定 样品的Al组分，发现Mg摩尔掺杂浓度和退火对Al组分均未产生明显影响。X射线衍射摇摆曲 线与原子力显微镜扫描表明随Mg摩尔掺杂浓度增加，样品晶体质量下降，样品表面凹坑增加， 但热退火对薄膜表面形貌有明显的改善。阴极射线发光测量发现带边峰强度随掺杂浓度增加而减 弱，退火后样品的施主一受主对复合发射与导带受主的复合发射均有增强，验证了热退火对钝化 受主杂质的激活作用，对实现高效AlGaN的P型掺杂具有重要意义。 关键词：A1GaN薄膜；Mg掺杂；热退火；表面形貌；阴极射线发光 文献标识码：A 中图分类号：TN304．26；TN304．055；TN305．3，0434．19 文章编号：1671—4776(2008)09—0512—04 of Films AIGaN PropertiesMg-Doped WuCha08～，Xie Bin8～，Liu Zili8”，ZhangRon98～，ZhangZen98一，Liu Qijial～， NieCha08…，LiYi8～，Han Youdou。^ Pin98”，ChenPen98一，LuHai8”，Zheng Provincial AdvancedPhotonicand (口．DepartmentofPhysics；b．JiangsuKeyLaboratoryof Electronic 210093，China) Ma据rmls，NanjingUniversity，Nanjing filmswere on substratemetal chemical A1，Gal一：N grownA1203 by organic Abstract：Mg-doped the annealedat750℃in of contentwas vapordeposition(MOCVD)and atmosphereN2．Al the indicatesthat calculated result neitherthe northe byX—ray∞一20scanning，and doping affectstheA1 curvesandAFM showthatthe annealing content．X—ray