sf6o2等离子体刻蚀a-cf薄膜的研究 study on etching techniques of a-cf films in sf6o2 plasma.pdfVIP

第! 期 微细加工技术 45 ! ##$ 年 月 %’()*+,(’+-). -/’0.)1)23 *675 ，##$ 文章编号：!##:C!（##$ ）#!:##;:#9 D*; E ) 等离子体刻蚀F:’G * 薄膜的研究 吴振宇，杨银堂，汪家友，柴常春 （西安电子科技大学 微电子研究所 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安$ !##$ !） 以D* E ) 为刻蚀气体，采用电子回旋共振等离子体反应离子刻蚀（/’(:(/ ）方法进行了氟 摘要： ; 化非晶碳（ F:’G * ）低介电常数薄膜的等离子体刻蚀技术研究，结果表明，F:’G * 薄膜的刻蚀速率 取决于薄膜中’—’* 与’* 两类基团刻蚀过程，富’—’* 结构的F:’G * 薄膜刻蚀速率在) 含 量约#H 时达到最大，而富’* 结构的F:’ G * 薄膜刻蚀速率随) 的增大而减小。+*% 分析表 明，D*; 气体刻蚀F:’G * 薄膜可以有效消除薄膜表面的团聚结构。AID 能谱分析表明，D*; 气体 刻蚀F:’G * 薄膜样品化学组分未发生变化，而) 气体刻蚀后在样品表面形成富’ 的F:’G * 层。 该研究结果为F:’G * 应用于超大规模集成电路层间介质工艺奠定了必要的实验基础。 关8 键8 词：F:’G * ；等离子体刻蚀；表面形貌；AID 中图分类号：)=C=5 C8 8 8 文献标识码：+ 本文采用/’(:’N 方法制备了F:’ G * 薄膜， ! 引言 用/’(:(/ 技术，以D* E ) 为刻蚀气体，对F:’G * ; 薄膜进行了刻蚀技术研究，探讨了F:’ G * 薄膜的 近年来，低介电常数（低! ）材料的研究已引起 等离子体刻蚀机理，并分析了等离子体刻蚀对F:’ 人们的广泛关注，采用低! 材料取代二氧化硅作为 G * 薄膜表面化学结构的影响。 层间介质，可以有效地减小集成电路互连(’ 延迟， 抑制串扰，降低功耗［! @ ］。F:’G * 薄膜的介电常数 # 实验方法 约为5 ! J 5 # ，工艺简单，且具有优良的填隙特性， 是有希望应用于集成电路的低! 材料之一［ @ 9 ］。 本研究所使用的F:’G * 薄膜是在DO 衬底上采 ［B ］ F:’G * 薄膜刻蚀技术是F:’G * 材料应用于多 用/’(:’N 工艺制备的 ，实验条件如下：微波频 层互连层间介质所必需的重要工艺环节，因而深入 率为5 =9 20P ，样片距离陶瓷窗$ QR ，射频偏压 研究F:’G * 材料的等离子体刻蚀机理是非常必要 ;## N ，入射射频功率B# S ，反射射频功率C S ，入 的，并且由于F:’G * 薄膜的介电与界面性质与薄膜 射微波功率! ;9# S ，反射微波功率;9# S ，D* E ) ; 结构紧密相联，因此等离子体刻蚀对F