第10章 物理气相淀积.pptVIP

第十章 物理气相淀积 10.1 物理气相淀积（Physical Vapor Deposition） 在半导体制造工艺中，所用到的物理气相淀积主要包括蒸发和溅射。 不同于化学气相淀积，物理淀积的过程中没有大规模的化学反应产生，参与淀积的原材料也不需要是气相。 10.2 蒸发（Evaporation） 蒸发是将待蒸发的材料放置进坩埚（（crucible），在真空系统中加热，利用其在高温时具有的饱和蒸气压来进行淀积 在蒸发器中通过保持高真空环境，蒸气分子的平均自由程（MFP）增加，并且在真空腔里以直线形式运动，直到它撞到表面凝结形成薄膜。 蒸发台的基本结构 台阶覆盖（step coverage） 标准的蒸发工艺不能在深宽比大于1.0的图形上形成连续膜。 行星式载盘装置示意图 饱和蒸气压 在一定温度下，封闭室内蒸发物质的蒸气与固体或液体平衡过程中所表现出的压力，称为该物质的饱和蒸气压。此时蒸发物表面液相、气相处于动态平衡，即单位时间内凝聚的分子数与蒸发的分子数相等。 物质的饱和蒸气压随温度的上升而增大，在一定温度下，各种物质的饱和蒸气压不相同，且具有恒定的数值。 10.2.3 蒸发系统：坩埚加热技术 电阻加热 电感加热 电子束加热 系统 简单平行金属板直流溅射系统 溅射过程从靶的表面撞出金属原子 10.3.1 溅射作用机理 溅射产额 对于每一种靶材料，都存在一个能量阀值Eth，低于此阀值，不会发生溅射。阀值能量一般在10－30eV之间。 当靶原子质量大于入射原子质量的五倍时：阀值能量由下式给出： 溅射产额与入射离子能量的关系 溅射产额与角度的依赖性 溅射产额与入射离子种类的关系 1）依赖于入射离子的原子量，入射离子的原子量越大，则溅射率越高； 2）与入射离子的原子序数有关，呈现出随离子的原子序数周期性变化的关系。 3）在周期表每一横排中，凡电子壳层填满的元素作为入射离子时，就有最大的溅射率。 因此，入射离子多采用惰性气体，同时还能避免与靶材料起化学反应。 通常选用氩（Ar）为工作气体。 溅射产额与入射离子原子序数的关系 溅射产额与温度的关系 【习题】 （书P157 19题）某电介质材料位于两条平行的金属线之间，长度L＝1cm，宽度W＝0.28μm，厚度T＝0.3 μm ，间隔S＝0.36 μm 。计算（a）延迟时间，已知金属是铝，电阻率ρ为2.67 μΩ.cm ，电介质是氧化物，介电常数k为3.9；（b）计算RC延迟时间，已知金属是铜，其电阻率ρ为1.7 μΩ .cm，电介质是有机聚合物，介电常数k为2.8；（c）试比较（a）和（b）的计算结果，RC延迟时间能减少多少？ 解： 溅射机实物图 PVD多腔集成设备 溅射对台阶覆盖的改善 对衬底加热，增强表面扩散作用。 在圆片上加RF偏压，使圆片被高能离子轰击，有助于溅射材料的再淀积。 加入准直器，对入射离子的方向校正。 准直溅射系统 10.3.3 溅射系统 DC （直流）溅射：淀积各类金属或导体材料薄膜。 RF(射频）溅射：淀积各类导电性差的非金属材料薄膜。 磁控溅射：通过磁场改变电子轨迹提高溅射速率。 IMP（离子化的金属等离子体）溅射：溅射的金属被离子化，在偏压的作用下被淀积。 真空溅射室及等离子体辉光放电图 磁控溅射机结构图 磁控溅射工作原理 磁控溅射的基本原理是以磁场来改变电子的运动方向,并束缚和延长电子的运动轨迹,从而提高了电子对工作气体的电离几率，有效地利用了电子的能量。因此，使正离子对靶材轰击所引起的靶材溅射更加有效(高速)。 同时，受正交电磁场束缚的电子,又只能在其能量要耗尽时才沉积在基片上(基片温升少) 。 磁控溅射工作原理示意 电子的螺旋式运动 磁控溅射的优点 1）磁控溅射可得到很高的溅射速率； 2）在溅射金属时还可避免二次电子轰击而使基板保持接近冷态，这对使用单晶和塑料基板具有重要意义；3）磁控溅射电源可为DC也可为RF放电工作，故能制备各种材料。 磁控溅射存在的问题 1）在对强磁性材料进行溅射时，因几乎所有磁通都通过磁性靶，须对靶源进行专门处理。 2）使用绝缘材料靶会使基板温度上升； 3）靶的利用率较低(约30％)，这是由于靶侵蚀不均匀的原因。 【附】剥离（Lift-off） 工艺 利用蒸发对高深宽比图形的覆盖性差的特点，用于难以刻蚀的一类贵金属或常见金属图形的制备，如Ni，Fe，Au，Pt等。 工艺设备简单，只需要一个显影液槽。 广泛的用于实验室研究。 Lift-off 工艺流程 蒸发Au和溅射Ti的lift-off对比 Lift-of