第11章 吸附 法净化气体污染物.pptVIP

引 言 第一节 吸附过程与吸附剂 一、物理吸附和化学吸附 温度的影响： 二、吸附剂及再生 二、吸附剂及再生 常用吸附剂特性 一、吸附平衡 吸附等温线 吸附方程式 (二）朗格缪尔（Langmuir）方程（I型等温线） 假设：a.固体表面的吸附能力只能进行单分子层吸附—与I型吸附线相吻合；b.固体表面各处的不饱和力相等，表面均匀，即各处的吸附热相等。 BET方程（I、II、III型等温线，多分子层吸附） 吸附速率 吸附过程 吸附速率 外扩散速率 内扩散速率 总吸附速率方程 吸附剂中吸附质浓度的变化 吸附剂中吸附质浓度的变化(续） 吸附剂床层中各区分布示意图 图10-12 τb—Z曲线 例11-1 附图 第三节 吸附反应设备的计算 （d）图：τ=τb：吸附波前沿刚刚到达吸附层下端口，若继续进行吸附，则从流出床层气体中，将发现有吸附，此即所谓“穿透现象”或称“透过现象”。出现穿透的点称为“穿透点”（或称“破点”），到达破点所需的时间为“透过时间” τb（或“穿透时间”）。 （e）图：ττb： “传质波”继续前移。 （f）图：τ≥τe：吸附波的末端也到达床层的出口，即全床达到吸附平衡(饱和)，整个床层失去吸附能力。 （B）穿透曲线（透过曲线） 在一定时间内，分析床层中流出气体的浓度，即从研究流出物浓度随时间的变化关系来达到研究吸附床层中浓度变化的情况—穿透曲线（透过曲线）。 第三节 吸附反应设备的计算 图11-10 吸附穿透曲线 第三节 吸附反应设备的计算 （C）穿透曲线法 假设条件：①等温吸附，等温吸附线为线型； ②低浓度污染物的吸附； ③传质区高度比床层高度小得多。 设：气体中吸附质的无溶质基浓度用Y（即吸附质/载气）表示，吸附剂上吸附质的无溶质基浓度用X表示（即吸附质/吸附剂）表示。 图中： W：一段时间后流出物总量，kg载气/m2； ①Ye≠Y0，Ye=0.9Y0 ；②Yb≠0，Yb=0.001 Y0~0.01 Y0; 则一段时间后流出物总量： Wa = We—Wb (kg/m2) ------------11.22 其中：Wa—Z a段（传质区段）的流出物量 那么在吸附区内，从穿透点到吸附剂基本失去吸附能力，吸附剂所吸附污染物的质量为： ------------11.23 定义：f —穿透点出现时，传质区内仍具有吸附能力面积的比率，可表示为： ------------11.24 从而（1-f）为传质区内吸附剂的饱和度。 f意义：f的大小反映了在到达破点时床层的饱和度。 f愈大，吸附饱和的程度愈低，传质区形成所需的时间愈短。f介于0～1之间，一般在0.4～0.5左右。 第三节 吸附反应设备的计算 设吸附床的高度为Z，则传质区高度： ------------11.25 Za的计算公式推导如下： ①传质区形成后在床区内向前移动一段距离等于Za（传质区高度）所需的时间τa ------------(a) ②传质区形成并移出床层所需的时间τe -----------（b） 第三节 吸附反应设备的计算 ③令τf为传质区形成所需的时间，则传质区移动等于床层总高Z距离，所需时间为τe-τf，因此，传质区高度Za为 -----------（c） ∵吸附波形成后尚有f这一部分面积未吸附， ∴ τf τa