第三章-通讯电子电路.ppt

* 三、串联型晶振 短路线（低阻抗） ①满足相位条件 ②使AF1，能起振。 ③f0=fs 频率稳定度只与晶振有关。 例题：当f=fs时，晶体等效于一条短路线，构成三端电容振荡器。 * 四、泛音晶振 ①f20MHz, 晶体工作在基音频率，基频越高，晶体越薄 ①f20MHz, 晶体工作在泛音频率（3～7倍基次泛音），这时，电路中应设法抑制基频和不需要的泛音上的寄生振荡。 例：设泛音晶振为5次泛音：5MHz 则相应地，L1C1支路应调谐在3～5次泛音之间。 L1C1支路电抗特性 * 3.5 压控振荡器(VCO) 3.5.1 变容二极管及其特性 一、变容二极管 用外加电压，控制振荡器频率的变化。 Cj~v曲线 电容Cj随其反偏电压v而变化的二极管，利用PN结的势垒电容随反向偏压大小而变化的原理制成。 * 式中： V ? 外加控制电压。 ? PN结的接触电位差（硅管约等于0.7V，锗管约等于0.3V）； C0 ?为外加电压v =0时的结电容值。 ? ? 电容变化指数，当PN结为缓变结时， 当PN结为突变结时， 当PN结为超突变结时， 甚至6以上。 * 二、若外加反向偏压vc(t) 则变容管上的控制电压为: Q为变容管直流工作点 ?- 电容调制度； 其中： ?- 当偏置为VQ时变容二极管的电容量。 * 说明：变容二极管的电容量Cj受信号 的控制，控制的规律取决于电容变化指数?，控制深度取决于电容调制度m。 变容二极管的典型最大电容值约为几～几百pF，可调电容范围(Cjmax/Cjmin)约为3∶1。 * 3.5.2 变容二极管压控振荡电路 一、电路组成和原理 将变容二极管作为压控电容接入LC振荡电路中，就构成了LC压控振荡电路。 通常可采用各种形式的三端型振荡电路。 应提供静态负偏压，使二极管工作在反偏状态；并且，还要提供一个交流控制电压已达到控制其电容值变化的目的。此外，为了抑制电路中高频振荡信号对直流偏压和低频控制电压的干扰，在电路设计时要适当采用高频扼流圈、旁路电容、隔直流电容等。 * 例： (a) 中心频率为360MHz的变容二极管压控振荡电路 (b)和(c) 分别是晶体管的直流通路和直流偏置电路 (d)和(e)分别是高频交流等效电路和低频控制电路 * 2、实际电路举例 （1）LC压控振荡器：三端电容（西勒电路） 改变控制电压vC的大小，就可以控制可变电容Cj的参数，从而控制了fo 。 注：当输出电压vo↗→Cj两端的控制电压↗→fo↗→输出电压vo幅度不要过大。 * （2）场效应管压控振荡电路 调栅电路 * 一般情况下,变容二极管压控振荡器的频率-电压特性是非线性的，其非线性程度与变容指数? 和电路结构有关。在中心频率附近较小区域内线性度较好，压控灵敏度也较高。 3、主要性能指标 压控灵敏度：单位控制电压引起的振荡频率的增量，即: 频率—电压特性 * 晶振：或者等效为一个短路元件；或者等效为一个高Q值的电感元件，起选频作用。 3.5.3 晶体压控振荡电路 为了提高压控振荡器中心频率稳定度，可采用晶体压控振荡电路。 变容二极管：压控元件。 * 例： 晶体工作在fs处，相当于短路线；L与Cj串联，其谐振频率等于fs，目的是提高fo的稳定性和准确性。 三端电容振荡电路，晶振作电感使用。 * 3.6 负阻正弦波振荡电路 负阻振荡电路 二端负阻器件 LC谐振回路 最早出现的是利用隧道二极管作为负阻器件的隧道二极管振荡器，后来又陆续出现了许多新型的微波半导体负阻振荡器，目前它的振荡频率已经扩展到几千MHz以上。 1、构成 2、用途 主要用于100MHz以上的超高频振荡器。 * 3.6.1 负阻器件的特性 N型（压控电阻），如隧道二极管 S型（流控电阻），如四层二极管 * 3.6.2 工作原理 N型（压控电阻）：与LC回路并联 S型（流控电阻）：与LC回路串联 还是利用器件的非线性特性来稳幅的，所以N型负阻器件必须与LC谐振回路相并联，S型负阻器件必须与LC谐振回路相串联。 * 交流等效电路： 应加合适的直流静态工作点，以保证负阻器件能工作在负阻区。 如果?G– ?＞G（? R–?＞R），补充能量大于损耗的能量，振荡幅度将逐渐增大。由于负阻器件的非线性特性，会使?G– ?（?R–?）随振荡幅度的增大而减小（这时?G–?、?R–?是平均负电导、负电阻），终将导致?G–?＝G（?R–?＝R ），使负阻器件提供的能量恰好抵消损