薄膜的缺陷.docVIP

薄膜的组织结构是指它的结晶形态．分为四种类型；非晶态结构、多品结构、纤维结构和单晶结构。 (1)非晶态结构。 从原子排列情况来看它是一种近程有序结沟，只有少数原子排列是有秩序的，显示不出任何晶体的性质，这种结构称为非晶结构或玻璃态结构。形成非晶薄膜的工艺条件是降低吸附原子的表面扩散速率。可以通过降低基体温度、引入反应气体和掺杂的方法实现上述条件。 (2)多晶结构。 多晶结构薄膜是由若干尺寸大小不等的晶粒所组成。在薄膜形成过程中生成的小岛就具有晶体的特征(原子有规则的排列)。由众多小岛聚结形成的薄膜就是多晶薄膜。用真空蒸发法或阴极溅射法制成的薄膜，都是通过岛状结构生长起来的，所以必然产生许多晶粒间界，形成多晶结构。 (3)纤维结构。 纤维结构薄膜是晶粒具有择优取向的薄膜，根据取向方向、数量的不同分为单重纤维结构和双重纤维结构。前者是各晶粒只在一个力向上择优取向，后者则在两个方向上有择优取向。有时前者称为一维取向薄膜，后者称为二维取向薄膜。 沿C轴择优取向AlN膜的结构 在玻璃基体上的的A1N压电薄膜是纤维结构薄膜的典型代表。 生长在薄膜中晶粒的择优取向可发生在薄膜生长的各个阶段：初始成核阶段、小岛聚结阶段和最后阶段。若吸附原子在基体表面上有较高的扩散速率，晶粒的择优取向可发今年薄膜形成的初期阶段。在起始层中原了排列取决于基体表面、基体温度、晶体结构、原子半径和薄膜材料的熔点。如果吸附原于的表面扩散速率较小，初始膜层不会产生择优取向，当膜层层较厚时则形成强烈的对着蒸发源方向的取向。晶粒向蒸发源的倾斜程度依赖于基体温度、气相原于入射角度和沉积速率等。 (4)单晶结构。 单晶结构薄膜通常是用外延工艺制造的。外延生长的第一个基本条件是吸附原子必须有较高的表面扩散速率．所以基体温度和沉积速率就相当重要。在一定的蒸发速率条件下，大多数基体和薄膜之间都存在着发生外延生长的最低温度，即外延生长温度。第二个基本条件是基体与薄膜材料的结晶相溶性。第三个条件要求基体表面清洁、光滑和化学稳定性好。满足以上三个基本条件，才能制备结构完整的单晶薄膜。 薄膜的晶体结构 薄膜的晶体结构是指薄膜中各晶粒的晶型状况。晶体的主要特征是其中原了有规则的排列。 在大多数情况下，薄膜中晶粒的晶格结构与块状晶体是相同的，只是晶粒取向和晶粒尺寸与块状晶体不同。除了晶体类型之外，薄膜中晶粒的晶格常数也常常和块状品体不同。产生这种现象的原因有两个：一是薄膜材料本身的晶格常数与基体材料晶格常数不匹配，二是薄膜中有较大的内应力和表面张力。 由于晶格常数不匹配，在薄膜与基体的界面处晶粒的晶格发生畸变形成一种新晶格，若薄膜与基体的结合能较大，晶格常数失配率近似等于2％时薄膜与基体界面处晶格畸变层的厚度为几个埃。当相差合分比为4％左右时，畸变层厚度可达几十个埃。当相差百分比人于12％时，品格畸变达到完全不匹配的程度。 薄膜表面张力对薄膜品格常数也有影响。 薄膜的表面结构 薄膜表而的形貌与粗糙问题—直是人们关注的研究课题。为了降低传输损耗，提高机电藕合系数，保证叉指电极质量，压电薄膜要求其表面的光滑度高。 从热力学能量理论分析．薄膜为了使它的总能量达到最低值。应该有最小的表面积，即应该成为理想的平面状态。实际上这种薄膜是无法得到的。因为在薄膜的沉积、形成、成长过程中，入射到基体表面上的气相原子是无规律的，所以薄膜表面都有一定的粗糙度。假设入射气相原子沉积到基体之后就在原处不动，形成的薄膜其厚度在各处是不均匀的。若薄膜的平均厚度为，它按无规则变量的泊松几率分布，出此可得到膜厚的平均偏离值。薄膜的表面积随着其厚度的平方根值的增大而增大。但实际上，入射气相原子沉积到基体表面之后．释放出再蒸发的能量就吸附在基体表面上。然后依靠横向扩散能量在表面上作扩散，占据表面上的一些空位。正是由于吸附原子在表面上扩散，才使薄膜表面上的谷被填平，峰被削平，导致薄膜表曲面积不断缩小，表面能逐步降低。但是在表面原子扩散作用下，生长最快的晶面能消耗那些生长较慢的晶面，导致薄膜表面粗糙度又进一步增大。薄膜表面的这种结构常常在基体温度较高的情况下才才出现。 在基体温度较低的情况下，吸附原子在表面上横向扩散运动的能量较小，所得表面面积较大，而且可延续到最低层。这种情况与微观结构中说的柱状晶结构是一致的。 所谓柱状晶结构犹如内一个个柱子排所组成的结构，其模型如图（2）所示。 图（2）柱状晶结构 高真空下沉积的薄膜以及外延薄膜不会出现柱状晶结构，但是在实际应用中各种PVD方法所制备的薄膜中几乎都会出现柱状晶结构。 3．3 薄膜的缺陷 所有在块状晶体材料中可能出现的各类晶格缺陷在薄膜中也都可能出现。但是由于薄膜及其成膜过程的特殊性，因而薄膜中缺陷的形成原因和分布等也表现出一定的持续性，特别是其数量—般都大大超过块状材料。与此