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第六章 p-n结 §1 p-n结及其基本概念 §2 p-n结的电流电压特性 §3 p-n结电容 §4 p-n结的隧道效应 §1 p-n结及其基本概念 (1)?????? p-n结的形成 (2)?????? p-n结的基本概念 (1) p-n结的形成 p-n结的制备 控制同一块半导体的掺杂,形成pn结 (合金法; 扩散法; 离子注入法等) 硅-硅直接键合工艺 外延生长法 (异质结) 同质结和异质结 由导电类型相反的同一种半导体单晶材料组成的pn结--同质结 由两种不同的半导体单晶材料组成的结—异质结 工艺简介: 合金法—合金烧结方法形成pn结 扩散法—高温下热扩散,进行掺杂 离子注入法—将杂质离子轰击到半导体基片中 直接键合—将硅片室温下粘贴再经过高温退火 杂质分布的简化: 突变结 线性缓变结 直接键合 硅片抛光→活化处理(H2SO4:H2O2) → 去氧化层(1～2%HF)(疏水处理) → 常温粘在一起→高温退火 外延生长 在单晶衬底（基片）上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段，故称外延生长。 p-n结的基本概念 ①空间电荷区: 在结面附近, 由于存在载流子浓度梯度,导致载流子的扩散. 扩散的结果: 在结面附近,出现静电荷--空间电荷(电离施主,电离受主). 空间电荷区中存在电场--内建电场,内建电场的方向: n→p . 在内建电场作用下,载流子要作漂移运动. ②平衡p-n结及其能带图: 当无外加电压, 载流子的流动终将达到动态平衡(漂移运动与扩散运动的效果相抵消, 电荷没有净流动), p-n结有统一的EF (平衡pn结) 结面附近,存在内建电场,造成能带弯曲,形成势垒区(即空间电荷区). ③接触电势差: pn结的势垒高度—qVD 接触电势差—VD 对非简并半导体,饱和电离近似,接触电势为: VD与二边掺杂有关, 与Eg有关 §2 p-n结的电流电压特性 定性图象 正向偏压下,势垒降低, 正向电流随正向电压的增加很快增加. 反向偏压下,势垒升高, 反向电流很小,并可达到饱和. p-n结击穿 现象: 对p-n结施加反向偏压时, 当反向偏压增大到某一数值时, 反向电流密度突然开始迅速增大. 发生击穿时的反向偏压-- p-n结的击穿电压. p-n结击穿的基本原因: 载流子数目的突然增加. 击穿机理(p171): 雪崩击穿—强电场下的碰撞电离, 使载流子倍增 隧道击穿—大反向偏压下, 隧道贯穿使反向电流急剧增加 热电击穿—不断上升的结温, 使反向饱和电流持续地迅速增大 p-n结电容 电容效应 ①势垒电容 CT —当p-n结上外加电压变化，势垒区的空间电荷相应变化所对应的电容效应. 当p-n结上外加的正向电压增加，势垒高度降低?空间电荷减少 当p-n结上外加的反向电压增加，势垒高度增加?空间电荷增加 ②扩散电容 CD —当p-n结上外加电压变化，扩散区的非平衡载流子的积累相应变化所对应的电容效应. 当正向偏置电压增加，扩散区内的非平衡载流子积累很快增加 在反向偏置下，非平衡载流子数变化不大,扩散电容 可忽略 p-n结的势垒电容和扩散电容都随外加电压而变化-- CT 和CD都是微分电容: C=dQ/dV p-n结的隧道效应 隧道效应—能量低于势垒的粒子有一定的几率穿越势垒. 这是一种量子力学效应 隧穿几率与势垒的高度有关, 与势垒的厚度有关. 隧道二极管—利用量子隧穿现象的器件效应 隧道结— p-n结, 两边都是重掺杂(简并情况), 以至在p区, EF进入价带; 在n区, EF进入导带. 结果: ① n区的导带底部与p区的价带顶部在能量上发生交叠 ② 势垒十分薄 电子可以隧道贯穿势垒区. 隧道结的I-V特性 正向电流一开始就随正向电压的增加而迅速上升,达到一个极大, (峰值电流Ip,峰值电压Vp ) 随后,电压增加,电流反而减少,达到一个极小,(谷值电流Iv,谷值电压Vv) 在Vp到Vv的电压范围内,出现负阻特性. 当电压大于谷值电压后,电流又随电压而上升 * * 合金法 扩散法 电势 电子势能(能带) 单向导电性