霍尔传感器综合实验.docVIP

开放型实验报告 实验名称： 霍尔传感器综合应用 学 院： 飞行器工程学院 专 业： 飞行器制造工程（航空维修） 班级学号： 学生姓名： 曹杨 实验日期： 2016年6月11日 评 分： 教师签名：  1 实验目的 （1）了解霍尔效应原理及其在电量、非电量测量中的应用概况； （2）熟悉霍尔传感器的工作原理及其性能； （3）掌握开关型霍尔传感器测量电机转速的方法； （4）掌握线性霍尔传感器测量大电流的方法。 .1 霍尔传感器 霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。 图1 霍尔传感器 2.2 霍尔效应 由霍尔效应的原理知，霍尔电势的大小取决于：Rh为霍尔常数，它与半导体材质有关；I为霍尔元件的偏置电流；B为磁场强度；d为半导体材料的厚度。 对于一个给定的霍尔器件，当偏置电流 I 固定时，UH将完全取决于被