模拟集成电路复习.docxVIP

研究模拟集成电路的重要性：（1）首先，MOSFET的特征尺寸越来越小，本征速度越来 越快；（2）SOC芯片发展的需求。模拟设计困难的原因：（1）模拟设计涉及到在速度、功耗、增益、精度、电源电压等多种因素间进行折衷，而数字电路只需在速度和功耗之间折衷；（2）模拟电路对噪声、串扰和其它干扰比数字电路要敏感得多；（3）器件的二级效应对模拟电路的影响比数字电路要严重得多；（4）高性能模拟电路的设计很少能自动完成，而许多数字电路都是自动综合和布局的。鲁棒性就是系统的健壮性。它是在异常和危险情况下系统生存的关键。所谓“鲁棒性”，是指控制系统在一定的参数摄动下，维持某些性能的特性。版图设计过程：设计规则检查（DRC）、电气规则检查（ERC）、一致性校验（LVS）、RC分布参数提取MOS管正常工作的基本条件是:所有衬源（B、S）、衬漏（B、D）pn结必须反偏沟道为夹断条件：（1）截止区：Id=0；VgsVth（2）线性区的NMOSFET（0 VDS VGS－VT）（3）饱和区的MOSFET（VDS ≥ VGS－VT）栅极跨导gm：是表征栅-源电压对于输出漏极电流控制作用强弱的一个重要的参数，它反映了器件的小信号放大性能，希望越大越好。体效应：理想情况下是假设晶体管的衬底和源是短接的，实际上两者并不一定电位相同，当VB变得更负时，Vth增加，这种效应叫做体效应。体效应会改变晶体管的阈值电压。10、11、亚阈值导电性：当Vgs下降到低于Vth时器件突然关断。实际上，Vgs==Vth时，一个“弱”的强反型仍然存在，并有一些源漏电流。当VgsVth，Id也并非是无限小，而是与Vgs呈现指数关系，这种效应称为“亚阈值导电”。12、形成沟道时的VG称为阈值电压记为VT13、MOS低频小信号14、模拟电路的八边形法则：15、共源级的四种接法：（1）采用电阻负载的共源级；增益：（2）采用二级管接法；（增益与偏置电流无关，即输入与输出呈线性(大信号时也如此！) （3）采用电流源负载的共源级（4）工作在线性区的MOS负载的共源级（5）带源极负反馈的共源级16、源极跟随器（可以起到一个电压缓冲器的作用）17、共栅放大器直接耦合的共栅级电容耦合的共栅级18、共源共栅放大器：共源共栅优点：产生大的增益；屏蔽特性；输出阻抗高。19、差动信号的优点：（1）能有效抑制共模噪声；（2）增大了输出电压摆幅(是单端输出的两倍)；（3）偏置电路更简单(差分对可以直接耦合)、输出线性度更高；（4）缺点是芯片面积和功耗略有增加.（=μnCOX(W/L)）20、基本电流镜：电流镜作用：（1）电流镜可以精确的复制电流而不受工艺和温度影响。Iout和IREF比值由器件尺寸的比率决定，该值可以控制在合理精度范围内。（2）为差动放大器起偏置作用（为抑制沟道长度调制的影响，可以使用共源共栅的电流镜）有源电流镜：像有源器件一样用来处理信号的电流镜结构叫做有源电流镜。21、共源放大器的高频模型（CGD会产生密勒效应）22、共源共栅放大器的高频特性（从M2 源极看进去的低频输入电阻约为1/(gm2+gmb2)，这也是M1的负载低频电阻；CGD1的密勒效应由A点到X电的增益AVX决定；AVX= -gm1 /(gm2+gmb2) ,若M1、M2的宽长比大致相同，则AVX1；CGD1在输入节点产生的密勒效应电容大小近似为2CGD1，同CS放大器相比，显然小了很多）23、噪声谱，也称为“功率谱密度“（PSD，表示在每一个频率上信号具有的功率大小。噪声波形X（t）的PSD，即Sx(f)，被定义成在f附近1HZ带宽内X（t）具有的平均功率。单位：V2/HZ热噪声分为：电阻热噪声，闪烁噪声24、反馈电路特性：（1）增益灵敏度降低；（2）终端阻抗变化；（3）带宽变化；（4）非线性减小 OUT IN AV RIN ROUT电压—电压（串）减小增大减小电压—电流（并）减小减小减小电流—电压（串）减小增大增大电流—电流（并）减小减小增大25、便求解，在一定条件下可用（点—结点关联）估算系统的极点频率。26、类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按比例_缩小，CMOS电路被证明具有_较低__的制造成本。27放大应用时，通常使MOS管工作在_ 饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来表示电压转换电流的能力。28、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用。29、栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成___恒定电流源_。30、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输出的改变。31、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反比__（正比、反比）。32沟道长度调制解：当栅与漏之间的电压增大时