电子成像均匀约束磁场的产生及测试分析.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 /) $ $ $ ， ， ， AN6 +/) MN +$ OP6Q $ （ ） !2%(E$E/) $ E%)%$2/ FGHF 0IJKLGF KLMLGF $ GR59 + 0RQ@ + KN? + 电子成像均匀约束磁场的产生及测试分析! ）） ） ） ）） ）） ）） ! # ! ! ! ! ! 冯文天 马新文 刘惠萍 陈兰芳 李 斌 曹士娉 !）（中国科学院近代物理研究所，兰州 $% ） ）（中国科学院研究生院，北京 !’( ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ) ( !* ) !! * 为增加离子与原子碰撞成像系统中探测电子的立体角，设计了一约束电子的复合型亥姆霍兹线圈装置 对复 + 合型亥姆霍兹线圈的磁场分布进行了理论计算和分析，并对制作的复合型亥姆赫兹线圈产生的磁场进行了实验测 量，得出磁场的均匀性好于, -) . + 关键词：亥姆霍兹线圈，磁场分布，磁场均匀性 ： !## !/0 性，标准的亥姆霍兹线圈无法满足上述要求，需要针 !- 引 言 对实际情况进行新的设计+ 本文从单个载流圆线圈 出发，讨论了其磁场分布特点，并与实验结果进行对 在离子与分子、原子或固体的碰撞实验中，由于 比分析，然后对标准的双圈亥姆霍兹线圈的磁场特 ［— ］ 转移电离或自电离等过程会产生大量的电子! % ， 征进行了理论分析，并进一步对多圈组合线圈的特 采用静电场引出离子和电子并投影到时间和位置灵 征做了讨论，发现在标准亥姆赫兹线圈两旁加一对 敏探测器上，从而获得碰撞中产生的反冲离子和电 小线圈，能够对磁场进行补偿，可以满足实验要求， 子的初始动量，对碰撞动力学过程进行详细分 我们称之为复合型亥姆赫兹线圈+ 对整个复合型亥 ［，］ 析’ / + 由于电子的质量远小于离子质量，在对离子 姆霍兹线圈系统在单匝情况下进行了理论模拟，磁 场的变化仅为 ，对直径 ， 匝的主圈 和电子施加相同引出电场强度的情况下（实际实验 -) . !/ 33 !) 与直径 ， 匝的校正圈组成的复合型亥姆霍 中必须这样），横向能量大于 ! 8A 的电子就会飞出 / 33 )