第3章 场效晶体管及场效晶体管放大电路.ppt

N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效晶体管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 场效晶体 管的分类 3.3 场效晶体管的比较 绝缘栅场效应管 N 沟 道 增 强 型 P 沟 道 增 强 型 3.3 各种场效晶体管的比较 绝缘栅场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 场效晶体管与晶体管的区别 1. 晶体管是电流控制元件；场效应管是电压控制元件。 2. 晶体管参与导电的是电子—空穴，因此称其为双极型器件； 场效应管是电压控制元件，参与导电的只有一种载流子， 因此称其为单极型器件。 3. 晶体管的输入电阻较低，一般102~104?； 场效晶体管的输入电阻高，可达109~1014? 场效晶体管与晶体管的应用 均可用于放大电路和开关电路，构成品种繁多的集成电路。 ? 一、基本共源放大电路 ? 三、分压式偏置电路 ? 一、场效应管的低频小信号等效模型 ? 二、基本共源放大电路的动态分析 3.4.1 场效晶体管的直流偏置放大电路及静态分析 ? 二、自给偏压电路 3.4.2 场效晶体管放大电路的动态分析 ? 三、基本共漏放大电路的动态分析 3.4 场效晶体管放大电路 场效应管是电压控制电流元件，具有高输入阻抗。 （以N沟道结型场效应管为例） 场效应管放大电路的三种接法 （a）共源电路　　（b）共漏电路　　（c）共栅电路 3.4.1 场效晶体管的直流偏置放大电路及静态分析 3.4.1 场效晶体管的直流偏置放大电路及静态分析 NJEFT PJEFT 增强型NMOS 增强型PMOS 耗尽型NMOS 耗尽型PMOS UGS 负 正 正 负 正、零、负 正、零、负 UDS 正 负 正 负 正 负 场效应管偏置电压的极性表 一、自给偏压电路 由正电源获得负偏压 称为自给偏压 哪种场效应管能够采用这种电路形式设置Q点？ 3.4.1 场效晶体管的直流偏置放大电路及静态分析 1. 估算法 一、自给偏压电路 3.4.1 场效晶体管的直流偏置放大电路及静态分析 2.图解法 二、分压式偏置电路 为什么加Rg3?其数值应大些小些？ 哪种场效应管能够采用这种电路形式设置Q点？ 即典型的Q点稳定电路 3.4.1 场效晶体管的直流偏置放大电路及静态分析 iD 的全微分为 上式中定义： —— 场效应管的跨导(毫西门子 mS)。 —— 场效应管漏源之间等效电阻。 一、场效应管的微变等效模型 3.4.2 场效晶体 管放大电路的动态分析 近似分析时可认为其为无穷大！ 根据iD的表达式或转移特性可求得gm。 由于没有栅极电流，所以栅源是悬空的。 对于N沟道增强型管子： 对于N沟道耗尽型管子： 二、共源放大电路的动态分析 若Rd=RL=3kΩ， Rg=5kΩ， gm=2mS，则 与共射电路比较。 1.自给偏压电路的动态分析 二、共源放大电路的动态分析 2.分压式偏置电路 三、基本共漏放大电路的动态分析 基本共漏放大电路输出电阻的分析 小 结 小 结 一、场效晶体管 场效晶体管是一种单极型半导体器件，只有多子参与导电。是一种电压控制器件。它具有输入电阻高，抗干扰能力强，工作频率高，热稳定性好，功耗低等特点。 场效晶体管的结构、符号、分类、工作原理、特性曲线、参数。 二、场效晶体管放大电路的分析 场效晶体管放大电路的静态计算； 场效应管的等效电路； 场效晶体管放大电路的动态分析：放大倍数、输入电阻、输出电阻的计算。 * * * 与共射放大电路类比。 * 与共射放大电路类比。 * 与共集放大电路相类比。 第3 章 场效晶体管及场效晶 体管放大电路 场效应管是通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。 它不仅具有双极型三极管的体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点，而且还具有输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。因而，在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用。 根据结构和工作原理不同,场效应管可分为两大类:结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET). 场效应管：一种载流子参与导电，利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的三极管，又称单极型三极管。 特点 单极型器件(一种载流子导电)； 输入电阻高； 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低。 要求： 1、掌握场效应管的分类、特点、特性曲线及参数，了解其结构、工作原理。 2、掌握场效应管放大电路的分析方法和指标计算。 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效晶体管 JFET