半导体物理第三章2.doc

§3.3 非本征半导体的载流子密度 一、杂质能级上的电子和空穴 电子和空穴占据杂质能级的几率 杂质或缺陷能级上的电子和空穴虽然不能直接参与导电，但电子和空穴在杂质或缺陷能级上的分布会直接影响导带和价带中的载流子密度。因此，为了考察半导体中杂质的电离情况，也需要使用分布函数来表示电子和空穴占据这些能级的几率。但是，禁带中的杂质能级与导带和价带中的本征能级有所不同。本征能级代表的是相互独立的状态，即当一个状态被电子占据之后，另一个状态的存在不受到影响。杂质能级则不然。虽然从道理上说一条能级能容纳自旋方向相反的两个电子，但杂质能级最多只能容纳一个电子。杂质能级实际是一个二度简并的能级。也就是说，当杂质能级还未被占据的时候，电子可以按正自旋也可以按反自旋的方式去占据它，但一旦被占据，就不可能让第二个电子再去占据它。所以费米分布函数不能用来表示电子占据杂质能级的几率。 参考书章末的补充材料用量子统计力学的方法证明：电子占据一个二度简并施主能级的几率是 空穴占据一个二度简并受主能级的几率是 杂质的电离度 利用上面的几率函数，可以求出 仍保留在施主能级上的电子密度nD，也即没有电离的施主浓度 (2) 电离施主的浓度 (3) 仍保留在受主能级上的空穴密度pA，也即没有电离的受主浓度 (4) 电离受主浓度 （2）、（4）两个公式实际反映了杂质的电离度。可以看出，半导体中杂质的电离度跟杂质能级与费米能级之间的相对位置有关： 当EF远在ED之上时，施主杂质基本上没有电离； 当ED与EF重合时，nD= 2ND/3，而n+D＝ND/3，即施主杂质只有1/3电离，还有2/3没有电离； 当ED-EFk0T，即费米能级远在ED之下时，施主杂质几乎全部电离。 同理，当EF远在EA之下时，受主杂质基本上没有电离； 当EF等于EA时，受主杂质有1/3电离，还有2/3没有电离； 当EF远在EA之上时，受主杂质几乎全部电离。 3、决定杂质的电离度的主要因素 杂质能级与费米能级之间的相对位置决定于杂质的电离能和费米能级的位置，而后者决定于温度和掺杂浓度。 对确定的杂质和温度而言，掺杂浓度越高，费米能级离禁带中部越远，因而杂质的电离度越小； 对确定的掺杂浓度和温度而言，浅能级杂质比深能级杂质更容易使条件ED-EFk0T或EF–EAk0T得到满足，因而电离度较高； 对确定的杂质及其浓度，温度越高，费米能级离禁带中心越近，因而杂质的电离度越高。 二、n型半导体在不同温区的载流子密度 以只含一种施主杂质的n型半导体为例，讨论费米能级与载流子密度随温度的变化。 N型半导体的电中性条件为n0=nD+＋p0，等式左边是单位体积中的负电荷数，实际上为导带中的电子浓度；等式右边是单位体积中的正电荷数，实际上是价带中的空穴浓度与电离施主浓度之和，代入各量的计算公式，得 上式中除EF之外，其余各量均为已知，因而在一定温度下可以将EF决定出来。但是从上式求EF的一般解析式还是困难的，下面分别分析不同温度范围的情况。 1、低温弱电离区（杂质电离程度较低的低温区）p0＝0，则n0＝nD+ 费米能级的位置及其随温度的变化 当温度很低时，大部分施主杂质能级仍为电子所占据，只有很少量施主杂质发生电离，给导带提供少量电子，这种情况即弱电离。这时从价带依靠本征激发跃迁至导带的电子更少，可忽略不计。换言之，在导带电子全部由电离施主提供的低温弱电离区，因p0＝0，所以n 0＝n+D，即 因n+D远比ND小，所以exp[-(ED-EF)/ kT]l，上式简化为 取对数后化简得低温弱电离区费米能级的表达式 因为Nc正比于T3/2，在低温极限T→0K时，lim(T lnT) = 0，所以，在低温极限T→0K时，费米能级位于导带底和施主能级间的中线处，不管ND多大。 为了了解费米能级随温度变化的规律，按上式将费米能级对温度求微商，得 令dEF/dT＝0，知EF在 取极大值。从纯数学形式上看，此结果表明，费米能级在低温区首先从导带底和施主能级之间的中点以很高的变化率上升，至极大值后下降。但是，以下计算表明：在一般掺杂浓度下，费米能级随温度升高而上升的情况基本不存在。计算表明，对硅，1K时NC已达6(1015cm-3左右。这就是说，当施主浓度低于5(1016cm-3时，n型硅中费米能级在绝对温度1K以下就达到其极大值，然后就随着温度的升高而向杂质能级方向下降。即便是更高的杂质含量，例如2.5(1017cm-3，其EF达到极大值时的温度也只有3K。 因此，弱电离温度区的EF事实上是基本随着温度的上升而下降。 （2）电子密度及其随温度的变化 将上面求出的EF表达式代入热平衡电子密度表达式，得到低温弱电离区的电子密度为 式中，?ED=EC-ED为施主杂质电离能。由于NC正比于T3/2，所以在温度很低时，载