分子束外延inas量子点的rheed实时原位分析 in-situ diagnosis of inas quantum dots fabricated by mbe using rheed.pdfVIP

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2017-08-31 发布于上海
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分子束外延inas量子点的rheed实时原位分析 in-situ diagnosis of inas quantum dots fabricated by mbe using rheed.pdf

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分子束外延inas量子点的rheed实时原位分析 in-situ diagnosis of inas quantum dots fabricated by mbe using rheed

、、与显微测量微细加工技术设备，， Microscope Measurement Microfabrication Equipment 分子束外延量子点的实时原位分析犐狀犃狊犚犎犈犈犇李美成王禄熊敏刘景民赵连城，，，，　　哈尔滨工业大学电力部信息功能材料与器件研究所哈尔滨（，）１５０００１　摘要：介绍了利用反射式高能电子衍射（）方法在自组装量子点制备过程中进行ＲＨＥＥＤＩｎＡｓ结构分析的理论研究与实验工作的最新进展从反射式高能电子衍射在量子点临界转变状。ＩｎＡｓ态测定量子点表面取向量子点应力分布测定量子点形核长大动力学过程研究等方面的应、、、用可以看出在量子点形成过程中对多种结构特征的原位分析具有突出优势反，ＲＨＥＥＤＩｎＡｓ。射式高能电子衍射仪作为分子束外延系统中的标准配置，已成为一种对量子点微观结构进ＩｎＡｓ行分析的简易而理想的分析测试工具。随着反射式高能电子衍射以及衍射理论的进一步发展，必将促进量子点结构的精确表征水平的提高进而实现更加理想结构的量子点的制备ＩｎＡｓ，ＩｎＡｓ及其应用。：；；；；关键词分子束外延量子点反射式高能电子衍射实时原位微结构分析ＩｎＡｓ中图分类号文献标识码文章编号：；：：（）ＴＮ４０５．９８４Ｏ４７１．１Ａ１６７１－４７７６２００８０８－０４７０－０６　　犐狀犛犻狋狌犇犻犪狀狅狊犻狊狅犳犐狀犃狊狌犪狀狋狌犿犇狅狋狊犵犙犉犪犫狉犻犮犪狋犲犱犫犕犅犈犝狊犻狀犚犎犈犈犇狔犵，，，，ＬｉＭｅｉｃｈｅｎＷａｎＬｕＸｉｏｎＭｉｎＬｉｕＪｉｎｍｉｎＺｈａｏＬｉａｎｃｈｅｎｇｇｇｇｇ（