高k纳米mosfet的关态泄漏电流的研究 research on off-state leakage current in nano-scale mosfet with high-k gate dielectrics.pdfVIP

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2017-08-31 发布于上海
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高k纳米mosfet的关态泄漏电流的研究 research on off-state leakage current in nano-scale mosfet with high-k gate dielectrics.pdf

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高k纳米mosfet的关态泄漏电流的研究 research on off-state leakage current in nano-scale mosfet with high-k gate dielectrics

纳米器件与技术 Nanoelectronic Device＆Technology 古kimJ 纠付纳米MOSFET的关态泄漏电流的研究杨建红，李桂芳，刘辉兰 (兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所，兰州 730000) 摘要：对纳米MOSFET关断态的栅电流、漏电流和衬底电流进行了模拟，指出边缘直接隧穿电流(J肼)远远大于传统的栅诱导泄漏电流(如吼)、亚阈区泄漏电流(J㈣)及带间隧穿电流 nm (，嘟)。对50nm和90MOSFET器件的，d-矿。特性进行了比较，发现在高ydd下，关态泄漏电流(k)随，研的增加而不断增大，并且器件尺寸越小，k越大。高后栅介质能够减小k，关键词：关态泄漏电流；边缘直接隧穿电流；边缘诱导的势垒降低；高k栅介质中图分类号：TN386．1文献标识码：A ResearchonOff-State Currentin Leakage Nano-Scale MOSFETwith Gate High-kDielectrics Huilan YangJianhong，LiGuifang，Liu and (Institute Science ofMieroelectronics，SchoolofPhpicd Technology,LatuhouUniversity,Lanzhou730000,China) oftheoff-state currentand Abstract：Simulation current，drain substratecurrentinnano—scale gate MOSFETindicatedthatthe direct far than edge tunnelingcurrent(j咖)wasconventional larger gate induceddrain band—to—band leakagecurrent(，ⅡD1)，subthresholdleakagecurrent(划，and the off-state current．An of tunnelingcurrent(i商，thusbecomingdominatingleakage comparisonIr characteristicsfor50nmand nmMOSFET 90 observedthattheoff-state currentincreased Vg leakage withthe direct currentat thesmaller isin Vaa，and the．device greatly