各种倒装凸点结构的电迁移可靠性及电流承载能力 electromigration reliability and current carrying capacity for various flip chip bumps.pdfVIP

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2017-08-31 发布于上海
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各种倒装凸点结构的电迁移可靠性及电流承载能力 electromigration reliability and current carrying capacity for various flip chip bumps.pdf

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各种倒装凸点结构的电迁移可靠性及电流承载能力 electromigration reliability and current carrying capacity for various flip chip bumps

Chri stopherJ．Berryl，邹毅达2，林伟1 (1．安靠封装测试，美国；2．安靠封装测试，上海) 摘要：随着倒装凸点中的无铅化，以及I／0密度不断提高，凸点间距和大小不断减小，倒装凸点由于电迁 Pil Pb)，移引起的失效越来越成为一个主要的可靠性问题。本文论述了对铜柱(cu lar)，高铅(high 锡铅(SnPb)，无铅(snAg)等倒装凸点的电迁移研究结果。我们设计了一个特别的测试样品用于直接比较各种不同的凸点结构，并在三种不同的电流量和温度下测试，数据用于推导Black公式中的参数。已 Pb。本文详述了测试数据，失效分析，以及在某些结构中B1ack公式中参数的估算。本文也提供了一个在实际使用条件下假定寿命和特定失效率时，预算倒装凸点的电流承载能力的方法。关键词：电迁移；倒装；可靠性；微间距；电流承载能力 andCurrent for Capacity ElectromigrationReliabiUty Carrying Various FHpClIipBumps Weil 1，ZOUYida2，UN J．Berry Christopher Amkor Technolog)，，Inc． SouthPrice (1．1900 Road，Chandler，AZ85286，USA； 2．No．1l1 FreeTrade 200131，China) Road，waigaoqiaozone，Pudong，Shanghai Yin—un Abstract：Failuresdueto have asa concemdue Electromi铲ation(EM)inflip—chipbumpsemergedmajorreliabilit)r I／O ina to ofI’bf而m andacontinuousdrivetoincI_eased eli“nation resulting bumps density potential nip—chip 0f EMstudiesonCu reductionof andsize．This theresults Pi