光学薄膜中节瘤缺陷研究进展 research progress of nodular defect in optical coatings.pdfVIP

第23卷第6期 强 激 光 与 粒 子 束 V01．23。No．6 2011年6月 HlGHPoWERLASERANDPARTICI。EBEAMS Jun．，2011 文章编号： 1001—4322(2011)06—1421一09 *综述* 光学薄膜中节瘤缺陷研究进展。 单永光1’2， 刘晓凤1’2， 贺洪波1， 范正修1 (1．中国科学院上海光学精密机械研究所强激光材料重点实验室，上海201800，2．中国科学院研究生院，北京100049) 摘要： 结合本实验室及国内外同行的工作进展．概括性地介绍了光学薄膜中节瘤缺陷的生长特性、结 构特征和损伤特性。以及激光预处理和破坏修复技术的研究进展。节瘤种子的尺寸、形状和表面特性决定了节 瘤缺陷的尺寸、边界结构的连续性和表面形貌特征。节瘤种子的来源主要有基底加工和清洗过程的残留物，镀 膜过程中真空室的污染和蒸发材料的喷溅．并给出了相应的抑制方法。节瘤的电场增强效应是导致节瘤缺陷 易损伤的另一个重要原因。节瘤缺陷的激光预处理和破坏坑的修复技术可以提高光学薄膜的抗激光损伤能 力。 关键词： 节瘤缺陷；节瘤喷射； 激光破坏； 激光损伤阈值， 破坑修复 中图分类号： 0484 文献标志码： A doi：10．3788／HPLP1421 随着大能量，高功率激光系统的发展和应用，高损伤阈值的光学薄膜已成为激光系统中必不可少的元件。 同时光学薄膜也是激光系统中最容易被激光破坏的薄弱环节。更重要的是薄膜损伤不但会降低系统的光束质 量，而且有可能诱导其它光学元件的损伤，进而使整个系统崩溃。因此，提高光学薄膜的抗激光损伤能力已成 为高能激光领域亟待解决一个热点问题。大量实验研究表明，对于ns级脉宽的激光脉冲来说，杂质缺陷是导 064 致光学薄膜破坏的主要因素。对于Hf0。／Si()：多层膜，特别是波长为1nm的高反膜，节瘤缺陷又是所有 064 缺陷中破坏性最强的缺陷类型。因此，在纳秒脉冲范围。节瘤缺陷已成为1 nm高反膜抗激光损伤能力提 高的一个重要因素¨{]。自20世纪70年代在薄膜中发现节瘤缺陷以来，人们对其生长机理和结构特征产生浓 Joule等超大规模的强激光系统的发展和升级。要求薄膜抗激光损伤能力越来越高，使得如何减少和消除节瘤 缺陷及其对薄膜抗激光损伤能力的影响成为一个重要研究课题。早在20世纪90年代，美国利弗莫尔国家实 064 了对1 nm高反膜中节瘤缺陷的研究。国内对节瘤缺陷的研究是从近几年才开始，主要有中国科学院上海 光学精密机械研究所、同济大学和成都精密光学工程研究中心等科研院所。本文主要基于本实验室的工作和 国内外相关文献资料，介绍节瘤缺陷的结构特征及其和种子的关系、节瘤种子的来源和抑制方法、节瘤的电场 加强效应、节瘤缺陷的损伤特性及损伤机制、节瘤缺陷的激光预处理和破坑修复技术等方面的研究进展。 l节瘤缺陷的结构特征 从20世纪70年代以来，节瘤缺陷是光学薄膜中研究较多的一种缺陷，其基本特征是在节瘤的底部有一个 所谓的种子核。后续沉积的膜层逐渐堆积在种子核上，由于种子核的自阴影效应，形成一个与膜层间有明显边 界的倒圆锥结构体，且在膜表面形成一个“m量级的球冠状结构[4{]。节瘤缺陷的典型表面形貌如下：单个节 瘤的球冠形貌，如图1(a)所示[61l多个节瘤群生情况下的表面形貌，如图1(b)所示；种子团聚情况下的节瘤表 示‘川。节瘤缺陷的几何结构模型：D=．．佰i了，即表面冠直径D正比于膜厚丁和种子高度^乘积的平方根，该 模型和薄膜沉积条件有关，如图3所示【B呻]。 2节瘤的结构特征与种子的关系 根据节瘤缺陷的生长机理和几何结构模型可知，节瘤的结构特征主要由种子的性质决定，包括种子的大 ·收稿日期：20ll一03—23l修订日期：2011。05‘16 作者简介：单水光(1979一)．男．博上研究生．从事光学薄膜的激光损伤研究I5hanyg@siom．ac．cn． 万方数据