扩展EPROM的电路连接如图所示图与E.DOC

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扩展EPROM的电路连接如图所示图与E

8031扩展E2PROM2864的电路连接如图6-11所示。 图6-11 8031与E2PROM2864电路连接图 图6-11中,将2864的直接与相连,这种连接方法把E2PROM作为数据存储器空间看待。 下面是一个编程举例,加载一个页面(16个字节)数据的子程序: START: MOV R1,#10H ;计数初值送R1 MOV DPTR,#SOURCE ;源地址送DPTR MOV R0,#DESL ;目的地址低位送R0 MOV P2,#DESH ;目的地址高位送P2 LP1: PUSH P2 MOVX A,@DPTR ;取数据 MOV R2,A ;暂存R2 POP P2 MOVX @R0,A ;写入2864 INC DPTR ;源地址指针加1 INC R0 ;目的地址指针加1 CJNE R0,#00,LP2 ;低8位地址指针满了吗? INC P2 ;满了,高8位指针加1 LP2: JNB P1.0,LP2 ;等待写操作完成 DJNZ R1,LP1 ;16字节没加载完,继续 RET 6.3.3 数据存储器的扩展 MCS-51单片机内只有128字节的数据RAM,对于数据处理量不大的智能仪表及控制系统功能不是十分复杂的单片机应用系统,片内的数据存储器完全够用。只有在单片机需要采集及处理的数据量较大时,才需要考虑扩展片外的数据存储器RAM。可扩展的最大容量为64KB。 目前使用的RAM器件有两类,即静态的RAM和动态的RAM。静态RAM器件只要在系统不断电的情况下,数据可以一直保存,无须考虑数据的挥发问题,用起来比较方便,与单片机的接口也很简单。而动态RAM则需要在数据的保存时间内,按照一定的刷新周期不断进行数据的刷新,否则数据将丢失。因此在使用时要有刷新逻辑电路,以保证存储的数据信息不丢失。但它的好处是功耗比较小,适合于需要大容量存储空间的场合。 在单片机系统中,作为外扩数据存储器使用的大多为静态RAM,这类芯片在单片机应用系统中又以6116,6264,62256使用较多,祥见表6-4所示。 表6-4 常用静态RAM 型 号 引脚数 容 量 6116 24 2K 6264 28 8K 62256 28 32K 我们已知道,单片机访问程序存储区和数据存储区的控制信号是不一样的,当访问程序存储区时,使用的控制信号是,而访问数据存储区则使用的是,控制信号。正因为如此,MCS-51的两个存储区的地址是重合的,都是0000H~FFFFH。扩展数据存储区便是根据单片机应用系统的需要,选择一定容量的RAM器件,为其分配一定的数据存储区地址范围并与单片机连接。 下面我们介绍6264与单片机的接口设计。 6264是8K×8位的静态RAM芯片,它采用CMOS工艺,单一的+5V供电,典型的数据存取时间为200ns,其管脚图见图6-12所示。 图12 6264管脚图 图6-12 6264管脚图 A0~A12为片内的地址线;I/O0~I/O7为双向数据线;为片选信号线;为输出允许信号线;为写信号线。表6-5为6264的操作逻辑表。 表6-5 6264的操作逻辑表 方式 I/O0~I/O7 L H H H 输出禁止 高阻 L H L H 读数据 输出 L H H L 写数据 输入 H × × × 未选中 高阻 × L × × 未选中 高阻 图6-13为1片6264静态存储器接口设计。考虑到系统中还可能有其他I/O口或外设连接,可采用P2口空余位线选6264,如图中使P2.7接,第二片选线CE2接高电平,保持一直有效状态。 图6-13 8031扩展一片RAM6264 按照这种片选方法,6264的8K地址范围不唯一,0000H~1FFFH是一种地址范围。当向该片0000H单元写一个数据data时,可用下列指令: MOV A,#data MOV DPTR,#0000H MOVX @DPTR,A 当从1FFFH单元读取一个数据时,可用如下指令: MOV DPTR,#1FFFH MOVX A,@DPTR 当单片机应用系统需扩展多片数据存储器时,视情况可以采用线选法寻址或译码法寻址,其扩展方法类似于程序存储器的线选法和译码法。

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