简述图书情报专题研究.docVIP

图书情报专题研究 最新学科研究热点与前沿 2014年第2期 西北工业大学图书馆 2014年9月 前 言 《图书情报专题研究》的宗旨是为我校师生开展学术研究提供有价值的参考信息。此项工作由图书馆信息咨询与情报研究部承担，根据学校所购买的数字资源，通过分析其深层次的功能，从数据库中组织整理出了与我校学科领域相关的最新学科热点研究论文、最新研究前沿及最新国际会议信息等，以期能对我校师生开展学术研究、项目立项、开题等学术研究活动提供帮助。 本期，我们收集整理了如下七个方面的热点文献和前沿信息： 1. Elsevier Science Direct Top 25，Elsevier数据库下载次数最多的 25篇论文。 2. IEL Top25，IEL数据库下载最多的25篇论文。 3. ACM 最新会议。根据ACM主页所提供的最新会议信息整理所得，可供研究者参考未来将要召开的会议内容等信息。 4. AIAA最新会议，由AIAA 主站提供的最新会议信息，以供研究者参考所用。 5.IEEE最新会议，由IEEE主站提供的最新会议信息，供相关研究者参考使用。 6. ESI（Essential Science Indicators）HOT PAPERS，ESI提供的最近两年的热点文章，其排名根据文章的被引频次。 如果您对我们的栏目设置、内容编排、出版方式等有好的意见和建议，欢迎与我们联系，我们将积极采纳，使这份电子刊物以臻完善，共同努力创建国内一流、国际知名的高水平研究型大学。 图书馆 2014年9月  目 录 一、Elsevier Science Direct Top 25 (材料类) 1 二、Elsevier Science Direct Top 25 (工程类) 11 三、IEL Top25 21 四、ACM 最新会议 31 五、AIAA最新会议 34 六、IEEE最新会议 37 七、ESI HOT PAPERS（ENGINEERING） 40  一、Elsevier Science Direct Top 25 (材料类) （来源：/） 1. 标题：High temperature long term stability of SiC Schottky diodes ? Article 出处：Microelectronics Reliability, Volume 51, Issue 9-11, September 2011, Pages 1778-1782 作者：Testa, A.; De Caro, S.; Russo, S.; Patti, D.; Torrisi, L. 摘要：Reliability of Silicon Carbide (SiC) power devices is still an open problem, preventing a wider application of such a promising technology. Moreover, specific reliability assessment procedures must be developed for SiC devices, as they are designed to work at temperatures well beyond those of standard Silicon devices. A detailed investigation about the reliability of 600燰, 6燗 Silicon Carbide Schottky diodes is accomplished along this paper. It is based on an extensive set of high temperature reverse bias endurance tests, performed on devices featuring different packages. Only small forward voltage drop and reverse current drifts have been recorded after a 1000爃 long test, confirming the parametric stability and the reliability level reached by last gen