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高电压技术第 38 卷第 7 期 2012 年 7 月 31 日 1648 High Voltage Engineering , Vo l. 38 , No. 7 , July 31 , 2012 基于高能电子逃逸行为的纳秒脉冲放电特性分析 章程1·2 ，邵涛1 ， 2 ，马浩1 ，许家雨1 ，任成燕1 ， 2 ，严萍1.2.3 (1.中国科学院电工研究所，北京 100190;2. 中国科学院电力电子与电气驱动重点实验室，北京 100190; 3. 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室，西安 710049) 擒 要:为研究 ns 脉冲激励下的气体放电现象，近年来基于高能电子逃逸引导放电发展的相关研究受到了广泛 关注。利用上升沿 15 ns ，半高宽 30~40 ns 的重复频率 ns 脉冲激励极不均匀电场下大气压空气放电，将实验测量 和理论计算相结合，研究了基于高能电子逃逸击穿的 ns 脉冲气体放电特性。实验结果表明高重复频率下仍可获 得大面积均匀的弥散放电，放电中存在能量范围为 10~130 keV 的 X 射线。理论计算结果表明施加 120 kV 负极 性脉冲条件下电场强度最高可达 718 kV/cm， 高于大气压空气中产生逃逸电子的场强阑值，放电中 X 射线与逃逸 电子有关。进一步对从理论上对 ns 脉冲气体放电特性进行探索，极不均匀电场下的场致发射为放电提供初始电 子，其中能量较高的电子在气隙运动过程中发生逃逸，与气体分子碰撞产生二次电子，并辐射出 X 射线。逃逸电子 与 X 射线共同作用，有利于获得大面积的弥散放电。 关键词: ns 脉冲F 重复频率;逃逸电子s 极不均匀电场;X 射线;弥散放电p 放电特性 001: 10. 3969/j. issn. 1003-6520.2012.07.017 文章编号: 1003-6520(2012)07-1648-07 Analysis of the Characteristics of Nanosecond-币. Runaway Behaves of High-energy Electrons 1 2 1 2 1 1 1 2 ZHANG Cheng • , SHAO Tao • , MA Hao , XU Jiayu , REN Chengyan • , Y AN Ping 1.2.3 (1. Institute of Electrical Engineering , Chinese Academy of Sciences , Beijing 100190 , China; 2. Key Laboratory of Power Electronics and Electric Drive , Chinese Academy of Sciences , Beijing 100190 , China; 3. State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment , Xi an Jiaotong University , Xi an 710049 , China) Abstract: In order to study the phenomenon of the gas discharge excited by nanosecond-pulse , the evolution of the nanosecond-puls