第八讲 存储器(DRAM).ppt

第八讲 存储器（二） 动态RAM 本讲主要内容 动态RAM的电路结构 DRAM的读写过程 DRAM的刷新 典型DRAM芯片举例 SRAM与DRAM的比较 * * DD 预充电信号 读选择线 写数据线 写选择线 读数据线 V C g T4 T3 T2 T1 1 (1) 动态 RAM 基本单元电路 2. 动态 RAM ( DRAM ) 读出与原存信息相反 读出时数据线有电流 为 “1” 数据线 C s T 字线 DD V 0 1 0 1 1 0 写入与输入信息相同 写入时 CS 充电 为 “1” 放电 为 “0” T3 T2 T1 T 无电流 有电流  ? 集成度高，功耗低  ? 具有易失性，必须刷新。  ? 破坏性读出，必须读后重写  ? 读后重写，刷新均经由刷新放大器进行。  ? 刷新时只提供行地址，由各列所拥有的刷新放大器，选中行全部存储细胞实施同时集体读后重写(再生)。 DRAM的电气特征： 单元 电路 读 写 控 制 电 路 列 地 址 译 码 器 … … … 读选择线 写选择线 D 行 地 址 译 码 器 0 0 1 1 31 31 1 A9 A8 A7 A6 A5 31 A4 A3 A2 A1 A0 刷新放大器 写 数 据 线 读 数 据 线 … … … … … 0 … (2) 动态 RAM 芯片举例 ① 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 读 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 D … 0 0 单元 电路 读 写 控 制 电 路 … A9 A8 A7 A6 A5 读 写 控 制 电 路 列 地 址 译 码 器 … … … 读选择线 写选择线 D 单元 电路 行 地 址 译 码 器 0 0 1 1 31 31 1 31 A4 A3 A2 A1 A0 刷新放大器 写 数 据 线 读 数 据 线 … … … … … 0 … ② 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 写 1 1 1 1 1 ② 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 写 A9 A8 A7 A6 A5 读 写 控 制 电 路 列 地 址 译 码 器 … … … 读选择线 写选择线 D 单元 电路 行 地 址 译 码 器 0 0 1 1 31 31 1 31 A4 A3 A2 A1 A0 刷新放大器 写 数 据 线 读 数 据 线 … … … … … 0 … A9 A8 A7 A6 A5 读 写 控 制 电 路 列 地 址 译 码 器 … … … 读选择线 写选择线 D 单元 电路 行 地 址 译 码 器 0 0 1 1 31 31 1 31 A4 A3 A2 A1 A0 刷新放大器 写 数 据 线 读 数 据 线 … … … … … 0 … 1 1 1 1 1 … ② 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 写 A9 A8 A7 A6 A5 读 写 控 制 电 路 列 地 址 译 码 器 … … … 读选择线 写选择线 D 单元 电路 行 地 址 译 码 器 0 0 1 1 31 31 1 31 A4 A3 A2 A1 A0 刷新放大器 写 数 据 线 读 数 据 线 … … … … … 0 … … 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1 ② 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 写 A9 A8 A7 A6 A5 读 写 控 制 电 路 列 地 址 译 码 器 … … … 读选择线 写选择线 D 单元 电路 行 地 址 译 码 器 0 0 1 1 31 31 1 31 A4 A3 A2 A1 A0 刷新放大器 写 数 据 线 读 数 据 线 … … … … … 0 … … 1 1 1 1 1 1 0 1 0 0 0 1 1 ② 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 写 … A9 A8 A7 A6 A5 读 写 控 制 电 路 列 地 址 译 码 器 … … … 读选择线 写选择线 D 单元 电路 行 地 址 译 码 器 0 0 1 1 31 31 1 31 A4 A3 A2 A1 A0 刷新放大器 写 数 据 线 读 数 据 线 … … … … … 0 … … D 1 1 1 1 1 0 1 0 0 0 1 ② 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 写 … A9 A8 A7 A6 A5 读 写 控 制 电 路 列 地 址 译 码 器 … … … 读选择线 写选择线 D 单元 电路 行 地 址 译 码 器 0 0 1 1 31 31 1 31 A4 A3 A2 A1 A0