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蓝宝石单晶现状及发展趋势 纪秀峰 摘要：本文简要介绍了蓝宝石单晶的性质和应用领域，回顾了泡生法等蓝宝石单晶的生长工艺，对蓝宝石单晶的国内外发展现状及发展趋势进行了分析。 关键词：蓝宝石，单晶，现状，发展，趋势 1、引言 蓝宝石是人工合成晶体中一个重要的材料品种，由于其优良的机械和光学性能，蓝宝石晶体得到了广泛的应用，主要用途包括耐磨元件、窗口材料以及MOCVD外延衬底材料等。近年来半导体照明产业的快速发展，带动了蓝宝石衬底材料需求的快速增长。用于MOCVD外延衬底的蓝宝石材料占到总产量的80%以上。2009年下半年以来，蓝宝石衬底一直处于材料紧缺和价格上涨趋势。亚洲是蓝宝石衬底最大需求地，仅台湾和日本企业就分别占到全球销售总量的58%和19%。而蓝宝石晶棒和抛光片的主要提供商则以美、俄、日、韩企业为主，中国企业在此领域还处于起步阶段。 2、蓝宝石的性质及用途 蓝宝石是纯净氧化铝的单晶形态，化学成分是Al2O3。蓝宝石的莫氏硬度为9，仅次于金刚石。25℃时蓝宝石的电阻率为1×1011Ωcm，电绝缘性能优良。蓝宝石还具有良好的光学透过性、热传导性以及优良的机械性能。 表1 蓝宝石物理特性 晶系 六方晶系 晶格常数（?） a=4.748 c=12.97 熔点（℃） 2050 密度（g/cm3）） 3.98 莫氏硬度 9 热导率（cal/℃ cm s） 0.86（25℃） 总光透过率 95% Czochralski，简称Cz法或柴氏法） 提拉法由Czochralski于1918年创立，是最常用的从熔体中生长晶体的方法。1964年Poladino和Rotter首先将该方法用于蓝宝石单晶生长。 与CZ法生长硅单晶的工艺类似，将预先合成好的多晶原料装在坩埚中，加热到2050℃以上将原料熔化为熔体，在坩埚的上方有一根可以旋转和升降的提拉杆，杆的下端装有籽晶。降低提拉杆，使籽晶插入熔体中，只要温度合适，籽晶既不熔掉也不长大，然后以一定速率向上提拉。同时，缓慢地降低加热功率，籽晶就逐渐长粗，小心地调节加热功率，就能得到所需直径的晶体。整个生长装置在一个封闭的炉腔里，以便保持生长环境中所需要的气氛和压力。通过炉腔上的窗口，可以观察到晶体的生长情况。 提拉法的主要优点是：在生长的过程中可以方便地观察晶体的生长情况；晶体在熔体表面处生长，而不与坩埚相接触，这样能显著地减小晶体的应力，并防止埚壁的寄生成核；可以方便地使用定向籽晶和“缩颈”工艺，其位错密度大大降低。因此，提拉法生长的蓝宝石晶体，其完整性很高，而生长速率和晶体尺寸也是令人满意的。提拉法生长的蓝宝石晶体具有较低的位错密度，较高的光学均匀性。缺点是成本较高，晶体直径受到一定限制。 3.3 热交换法（Heat Exchanger Method 简称HEM） HEM法是一种低温度梯度晶体生长方法，坩埚、热场和晶体均无需任何物理移动，晶体的生长完全依靠炉体结构所形成的温度梯度。 籽晶置于坩埚底部，通过控制坩埚底部的氦气流量保证籽晶处于低温区，坩埚中的原料全部熔化后，确保籽晶只与熔体较好的熔接而不被全部熔化。通过加大氦气的流量，使低温区逐渐向上扩大，从而使固液界面向上移动。热交换法除了通过控制加热功率来调节热场温度外，还可以通过控制氦气流量来控制晶体的冷却速率。此方法具有准确的温度控制，可以得到高质量的大尺寸晶体，晶体的缺陷和残留应力较低。 HEM法的不足之处是需要消耗大量的氦气，成本较高，生长周期较长。 图1 HEM生长蓝宝石单晶示意图 3.4 泡生法（Kyropoulos，简称Ky法或凯氏法） 这种方法是将一根受冷的籽晶与熔体接触，如果界面的温度低于凝固点，则籽晶开始生长，为了使晶体不断长大，就需要逐渐降低熔体的温度，同时旋转晶体，以改善熔体的温度分布。也可以缓慢的（或分阶段的）上提晶体，以扩大散热面。晶体在生长过程中或生长结束时不与坩埚壁接触，这就大大减少了晶体的应力。不过，当晶体与剩余的熔体脱离时，通常会产生较大的热冲击。泡生法的晶体生长设备与提拉法类似，也可以通过窗口观察晶体的生长情况。 图2 泡生法生长蓝宝石单晶示意图 泡生法是目前应用最多的蓝宝石生长方法，为提高晶体生长效率和改进晶体质量，人们对泡生法提出了多种改良方案，如冷心放肩微量提拉工艺（Sapphire growth technique with micro-pulling and shoulder expanding at cooled center,简称SAPMAC）以及Rubicon公司的ES2工艺等。Rubicon于2009年用此方法生长出重达200公斤的蓝宝石晶体。目前，多数泡生法设备制造商可以提供交钥匙方案，可向包含全套生长工艺包的全自动蓝宝石生长设备 Gradient Technique，简称TGT） 温度梯度