- 3
- 0
- 约7.53千字
- 约 47页
- 2017-09-02 发布于河北
- 举报
外延工艺简介 2005年
外延工艺简介 By 赵仲镛 杭州士兰集成电路有限公司 杭州经济技术开发东区10号路308号 Hangzhou Silan Integrated Circuit Co., Ltd。 308, No. 10 Road, East HETZ, Hangzhou, Zhejiang, China 310018 什么叫外延生长? 硅外延的基本原理 外延设备及所用的气体 在外延中应注意的问题 外延层中的晶体缺陷 外延的质量表征因子 外延层测试设备 目前国内外延的动态 从事外延工作人员应具备的基本素质:敬业精神、一丝不苟的工作态度、质量意识和安全意识。 什么叫外延? 外延Epitaxy这个词来源于希腊字epi,意思是“…之上”。这样选定的词对外延提供了一个恰当的描写。一个含有硅原子的气体以适当的方式通过衬底,自反应剂分子释放出的原子在衬底上运动直到它们到达适当的位置,并成为生长源的一部分,在适当的条件下就得到单一的晶向。所得到的外延层精确地为单晶衬底的延续。 硅外延生长其意义是在具有一定晶向的硅单晶衬底上生长一层具有和衬底相同晶向的电阻率与厚度不同的晶格结构完整性好的晶体。 半导体分立元器件和集成电路制造工艺需要外延生长技术,因半导体其中所含的杂质有N型和P型,通过不同类型的组合,使半导体器件和集成电路具有各种各样的功能,应用外
原创力文档

文档评论(0)