半导体物理简介-Mipaper.PDF

二、半導體物理簡介 2.1 半導體的鍵結與晶格結構 2.2 半導體中的導電載子電子與電洞 2.3 帶溝與半導體的光電特性 2.4 半導體的摻雜 2.5 移動電流與擴散電流 2.6 多出載子的傳導行為 半導體的鍵結與晶格結構 材料的導電度 半導體(Semiconductor)的種類 元素半導體（element semiconductors ） 矽(silicon, Si) 、鍺(germanium, Ge) IV-IV族:碳化矽SiC 、矽鍺合金等 III-V族:砷化鎵GaAs 、氮化鎵GaN 、磷 化鎵GaP 、砷化銦InAs等二元化合物， 及砷化鋁鎵AlGaAs 、磷化銦鎵GaInP 、 氮化銦鎵GaInN 、磷砷化銦鎵InGaAsP 等三元或四元化合物 II-VI族:硫化鎘CdS 、鍗化鎘CdTe 、硫化 鋅ZnS等 常見的半導體晶格結構： 鑽石結構( 與閃鋅結構(Zincblende) 原子鍵結：sp3 共價鍵( 例題 在溫度300K ，矽的單位立方晶格的邊長a （稱為晶格常數， 為5.43Å ，計算矽每立方公分所含之原子數及質量密度。 一個單位立方晶格中包含8個八分之一的頂角原子、6 原子、及4個內部的完整原子，故共有 1 1 8 6 4 8 8 2 每立方公分所含之原子數為 8 8 5.0 1022 a 3 (5.43 108 cm)3 質量密度為 每立方公分原子數 原子量 5.0 1022 (原子/cm 3 ) 28.9 (g/mole) 亞佛加厥常數 6.02 1023 (原子/mole) 導電帶(conduction band)與價電帶(valence band) Bonds Bands Bonding鍵結簡易化學 p z 電子佔據不同的軌域( 1 atom 自的能階(energy levels) py p x 2 atoms A yA yB B A ？B separated close 成兩個新的軌域。能量低的稱為鍵(bonding orbital) ， 為反鍵(antibonding orbital) 。 y A y B y A y B bond antibond