双频激励下超晶格系统的混沌行为.pdfVIP

　第２４卷　第４期 原 子 核 物 理 评 论 Ｖｏｌ２４，Ｎｏ．４　 　２００７年 １２月 ＮｕｃｌｅａｒＰｈｙｓｉｃｓＲｅｖｉｅｗ Ｄｅｃ．，２００７　 　　文章编号：１００７－４６２７（２００７）０４－０３１８－０５ 双频激励下超晶格系统的混沌行为 张　梅，邵明珠，罗诗裕＃ （东莞理工学院，广东东莞　５２３１０６） 摘　要：假设超晶格“折沟道”对粒子的作用等效为形状相似的周期调制；引入正弦平方势，在小振 幅近似下，把粒子运动方程化为具有双频激励的Ｄｕｆｆｉｎｇ方程。用Ｍｅｌｎｉｋｏｖ方法分析了系统的混沌 行为。结果表明，当外场为双频激励时，系统将存在不同的次谐和超次谐分叉序列。由于系统的混 沌行为与系统参数有关，于是，只需控制材料组分、或掺杂浓度，就可望达到避免或控制混沌的目 的，为半导体超晶格的制备及其光磁电效应提供了理论分析。 关 键 词：超晶格；沟道效应；Ｍｅｌｎｉｋｏｖ方法；混沌 中图分类号：Ｏ４７１．５；Ｏ５７１．３３　　　文献标识码：Ａ ［７］ １　引言 出的正弦平方势 ，在小振幅近似下，把粒子运动 方程化为具有硬弹簧特性的 Ｄｕｆｆｉｎｇ方程，并用 所谓超晶格就是将两种晶格常数不同的材料交 Ｍｅｌｎｉｋｏｖ方法分析了系统的混沌行为。结果表明， 替生长而形成的多层薄膜结构。正是由于超晶格的 如果外周期含有两种频率分量，则可能导致不同的 特殊几何结构，引起了人们对它的密切关注。如果 选择ＧａＰ作基片，沿［１００］方向生长等厚的ＧａＰ和 次谐和超次谐分叉序列。注意到系统的混沌行为与 ＧａＡｓＰ 薄层，由于在生长方向上晶格失配，沿生 系统参数有关，于是，只需控制材料组分、或掺杂 ｘ １－ｘ 长方向的各层将交替产生伸长和压缩形变，导致 浓度，就可望达到避免或控制混沌的目的，为半导 （１１０）平面沟道偏折，使直沟道变成了锯齿状的“折 体超晶格的制备及其光磁电效应提供理论分析。 沟道”，从而改变了半导体材料的能带特征，进而 改变了半导体材料的光磁电性质。值得注意的是， ２　运动方程 这种沟道的特点是在界面处沟道平面连续，一阶导 　　选择自然坐标。假设ｚ是粒子沿沟道中心线方 数不存在。由于超晶格具有特殊的层状结构，可望 向的平衡轨道，ｘ是粒子偏离平衡轨道的横向距离， 用它把沟道辐射改造为Ｘ激光或 激光［１—３］，开辟 γ 并假设粒子在（ｘ，ｚ）平面内运动。注意到超晶格的 超晶格材料应用的新领域。由于超晶格材料的组分 沟道不再是直沟道，而是呈锯齿状的折沟道，我们 和层厚等均可以人为控制，可望得到均匀半导体材 假设粒子在折沟道中的运动行为可以等效为粒子在 料所不具有的光电特征。 　　值得注意的是，粒子在（１１０）面沟道中运动时， 直沟道中的运动，再加上一个由于折沟道引起的周 由于不断受到“折沟道”对它的作用，它的横向动量 期势场的作用。考虑到运动阻尼，粒子运动方程可 在界面处发生突变，其效果等效于在直沟道中运动 表示为［４］ 的粒子受到如“折沟道”相似的相互作用势的调制。 ２ ｄｘ ｄｘ ｄＶ（ｘ） ｄＷ