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MOSFET 高速驱动设计 此文章出处:与非网 英飞凌 MOSFET 驱动 MOSFET 并联 摘要： 本文阐述了MOSFET 驱动的基本要求以及在各种应用中如何优化驱动电路的设计 关键词： MOSFET 驱动， MOSFET 并联 1． 引言 随着电源高效，高功率密度的要求，电源的频率由原来的工频，到几十千赫兹，再到如今几百千赫兹甚至兆赫兹。 电源频率的要求越来越高。如何选择合适的MOSFET, 如何有效的驱动高速的MOSFET，提升电源效率是广大工程师 面临的问题。本文将探讨MOSFET 的选型以及高速驱动线路的设计的注意事项。 2． MOSFET 结构以及影响驱动的相关参数 图1 图1 是MOSFET 的电容等效图。MOSFET 包含3 个等效结电容Cgd, Cgs 和 Cds. 通常在MOSFET 的规格书中我们可以看到以下参数 其中 Ciss=Cgs+Cgd Coss=Cgd+Cds Crss=Cgd 这些结电容影响着MOSFET 开通和关闭速度。结电容小的MOSFET 具有快速的开关速度，可以降低 MOSFET 开通和关闭时所产生的损耗。同时对驱动线路需求更低。 但是值得注意的是这些电容跟普通的电容并不完全相同，普通电容的容值并不会有太大的改变，而 MOSFET 等效电容容值会随着MOSFET Vds 的变化而变化。图2 描述了MOSFET 结电容随电压的变化状 况。 图2 由于Q=C*U*t 为了方便计算MOSFET 所需的驱动功率以及开关损耗，规格书中通常会给出MOSFET 的Q 值。 图3 中描述了MOSFET 开通的过程以及不同的Qg 值对MOSFET 开通过程中的影响。Qgs 是Cgs 的电荷 量，Qgd 是Cgd 的电荷量，而 整个开通过程中电荷量的总和我们称之为Qg. 图3 2.1 MOSFET 导通时序介绍 t1 阶段 此阶段处于MOSFET 死区时间。 MOSFET 电压电流并无变化 t2 阶段 t2 阶段MOSFET Vgs 电压达到阀值并继续上升。此时MOSFET 开始导通，电流从MOSFET 漏极流向源极 并在t2 结束时到达最大值，而Vds 此时保持不变。 t3 阶段 t3 阶段MOSFET Vgs 电压到达米勒平台并保持动态平衡。电流从MOSFET 漏极流向源极并保持在最大 值，Vds 开始下降并最终到达最小值。 t4 阶段 t4 阶段Vgs 电压上升至最大值，电流从MOSFET 漏极流向源极并保持在最大值，Vds 同时保持在最小 值，MOSFET 进入饱和区，导通电阻降至最小。 以上是MOSFET 导通的时序介绍，而MOSFET 关闭的时序与之完全相反。 从MOSFET 驱动时序来看，MOSFET Qg 对MOSFET 的开通与关闭速度起决定作用。对于MOSFET 的驱动 设计应当着手于选择Qg 较小的MOSFET，这样不仅可以降低MOSFET 开关损耗，同时可以降低对驱动 电路峰值电流的需求。 3． 降低dv/dt,di/dt 造成的震荡 门极震荡是MOSFET 高速驱动一个常见问题，驱动的震荡直接影响到电源系统的损耗以及可靠性，通 常MOSFET 门极震荡包含两个回路如图4 图4 中红色曲线是震荡回路1，其回路由MOSFET 漏极寄生电感Ld （包括MOSFET 封装电感以及PCB 布线等效电感）, MOSFET 结电容Cgd, MOSFET 门极电感Lg （包括MOSFET 封装电感以及PCB 布线等 效电感）, MOSFET 内置门极驱动电阻Rgini, 以及装配，PCB 布线耦合电容Cgdext 组成。 当MOSFET 关闭时，Vds 上升，红色回路的电感，电容会形成LC 谐振，该谐振频率约在300MHz 至500MHz 之间。此时外加的门极驱动电阻Rgext 对于该回路的阻尼作用并不明显。而能够明显起到阻尼作用的 只有MOSFET 内置门极驱动电阻Rgini。尤其是对于高压MOSFET，由于dv/dt 较低压MOSFET 更高。 震荡回路2 是由图4 中蓝色曲线组成。其回路由MOSFET 源极寄生电感（包括MOSFET 封装电感以及 PCB 布线等效电感），MOSFET 结电容Cgs, MOSFET 门极电感Lg （包括MOSFE