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第4章 MOSFET放大器 講義與作業 一、n-MOSFET 放大器 可使用重疊定理，所以可分開 dc 與 ac 分析 轉導放大器：輸入電壓，輸出為電流 一旦 Q 點建立則可發展 v 、i 及 v 的小訊號數學模型 gs d ds 為使 FET 當成線性放大器，電晶體需偏壓在飽和區，即瞬間 iD 及 vDS 需在飽和區 電晶體之增益轉導 gm (1) IDQ 愈大gm 愈大 (2)若 Vds 大於 Vds,sat 飽和區 IDQ 固定gm 固定 (3)若 Vds 小於 Vds,sat 線性區 IDQ 不固定gm ∞Kn 例 4.1： 2 n-MOSFET 之參數為 V = 1V ，(1/2) μ C = 20 μA/V 及 W/L = 40 。 TN n ox 設汲極電流 ID = 1mA 。求 gm 解： MOSFET 轉導(即增益)比 BJT 來的小， 但有較高輸入阻抗、尺寸小及低功率消耗之優點 交流等效電路( 低頻小訊號等效電路 (Cgs ~ 0) 考慮飽和區 iDS 非定值，因存在一通道常數調變參數 λ 則 則，輸出阻抗不再是無窮大而是一有限值 ro 則，n 通道之延伸小訊號等效電路 例 4.2： 假設電晶體偏壓於飽和區。 偏壓參數為 VGSQ = 2.12V ，VDD = 5V ，及RD = 2.5k Ω。 電晶體參數 VTN = 1V, Kn = 0.80mA/V2 ，及λ= 0.02V-1 。 求輸出電阻與小信號電壓增益 解： (直流分析) ： 先假設位於飽和區,則 V V =−I R 5 =− 1 2.5 2.5V DSQ DD DQ D ( )( ) 因此 V 2.5V =V sat V =−V 1.82 =−1 0.82V DSQ DS ( ) GS TN 符合飽和區之假設。 (交流分析) 轉導為 輸出電阻 進而，可推導 輸出電壓 小信號增益 (Vgs=Vi) MOSFET 之轉導小，所以增益小，增益為負 二、p-MOSFET 放大器 直流分析： VDD 接在 S 極，在 MOSFET VDD 表電源供應器 與 n 通道電晶體來看，電流方向與電壓極性相反 交流分析： 若將小訊號 G-S 極性反轉且 Id 電流亦反轉 而得與 n 通道相同之小訊號等效電路 本體效應的模型 當 S 極未接至基板(本體) NMOS 之本體接至電路之最負電位為訊號接地 簡化之 I-V 關係及其門檻電壓 vSB≥0 ，等於0 即無本體效應 B-G 間之轉導 本書一般忽略本體效應 共源極放大器 n-MOS 由 R1 與 R2 所形成的電壓分配，使元件能偏壓於飽和區工作 可忽略的電容阻抗 Cc=10 μF ，f=2 kHz |Zc|≅8 Ω ︱ZC ｜在電容端所見的戴維尼等效電阻 當交流訊號頻率大於 2 kHz ，可假設CC 為短路 小訊號等效電路 一般而言， R R = R1 ∥R2 Si i 直流偏壓 為了最大的輸出電壓擺幅及偏壓在飽和區