半导体二极管和三极管91半导体的导电特性.PPT

第九章 半导体二极管和三极管 9.1 半导体的导电特性 9.2 半导体二极管 9.3 稳压管 9.4 半导体三极管 9.1 半导体的导电特性 9.1.1 本征半导体 1、本征半导体概念：完全纯净的、具有晶体结构的 半导体。 2、本征半导体的结构：晶体、四个共价键结构。 3、半导体的载流子：自由电子和空穴。 自由电子——原子获得 一定能量后，挣脱原子束缚的价电子。 空穴——价电子成为自由电子后，在共价键中留下的空位。 4、半导体与导体的显著区别：出现自由电子和空穴两种载流子，在电场作用下，形成电子电流和空穴电流两种电流。 9.1.2 N型半导体和P型半导体 1、N型半导体： （1）概念：在本征半导体中掺入微量五价元素杂质的半导体。 （2）特点：多数载流子是自由电子；少数载流子是空穴。 2、P型半导体： （1）概念：在本征半导体中掺入微量三价元素杂质的半导体。 （2）特点：多数载流子是空穴；少数载流子是自由电子。 9.1.3 PN结及其单向导电性 （1）PN结的形成：将P型半导体和N型半导体结合在一起，在其交界面形成的一个特殊的薄层，称为PN结。 （2）PN结的单向导电特性： 当在PN结加正向电压，即电源正极接P区，负极接N区，P区多数载流子空穴和N区载流子在电场作用下通过PN结进入对方，两者形成较大的正向电流,如（a）图。PN结处于导通状态。 当在PN结加反向电压如（b）图，P区和N区多数载流子受阻难以通过PN结进入对方，形成很小的反向电流。PN结处于截止状态。 9.2半导体二极管 9.2.1 基本结构 1、结构：将PN结加上相应的电极引线和管壳，构成二极管。 2、类型： （1）点接触型：PN结结面积很小，工作电流较小，一般作开关元件。 （2）面接触型：PN结结面积大，工作电流大，一般用作整流。 9.2.2 伏安特性 二极管是一个PN结，它具有单向导电特性，其伏安特性曲线如右图： 硅管死区电压0.5V。 锗管死区电压0.1V。 9.2.3 主要参数 1.最大整流电流IOM：二极管长时间工作时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2.反向工作峰值电压URWM：是反向击穿电压的1/2或1/3。 3.反向峰值电流IRM：二极管加上反向工作峰值电压时的反向电流值。 稳压管是一种特殊的面接触型半导体二极管，在适当电路中能起稳定电压作用，固称为稳压管。 其表示符号如右图： 1、伏安特性（右图）： 与普通二极管的差异是稳压 管的反向特性曲线较陡。 稳压管工作于反向击穿区。 2、主要参数 （1）稳定电压UZ：稳压管在正常工作下管子两端的电压。 （2）电压温度系数 ：温度每升高 时稳定电压值的相对变化量。 （3）动态电阻 ： （4）稳定电流IZ： （5）最大允许耗散功率PZM: 例：图中通过稳压管电流IM等于多数？R值是否合适？ 解： 9.4 半导体三极管（BJT) 半导体三极管简称晶体管（BJT），具有放大和开关作用。 9.4.1 基本结构 （1）类型：平面型、合金型。（如下图） （2）结构：NPN和PNP结构。 每一种结构都由三个区（发射区、基区、集点区），三个极（发射极E、基极B、集电极C），两个结（发射结Je、集电结Jc）构成。如下图： （3）BJT的表示符号： 9.4.2 电流分配和放大原理 由以下晶体管共发射极接法实验电路得出结论： （1）电流分配关系：IE=IB+IC （2）电流放大原理： 静态电流放大系数： 动态（交流）电流放大系数： （3）IB的控制作用：当IB＝0时IC=ICEO≈0 （4）BJT起放大作用外部条件：a.发射结正向偏置；b.集电结反向偏置。BJT三个电极电位关系如下图： 9.4.3 特性曲线 1、输入特性曲线 特性曲线如右图： 正常工作时，NPN型硅管 UBE=0.6－0.7V,PNP型锗管UBE=-0.2－-0.3V。 2、输出特性曲线 特性曲线如右图： （1）放大区 也称线性区， BJT起放大作用工作区域，IC呈恒流特性。 （2）截止区 IC ≈0，C和E之间相当于断开，起开关断开作用。 （3）饱和区 UCE ≈0，C和E之间相当于短路，起开关闭合作用。 （4）晶体管三种工作状态电位情况： 9.4.4 主要参数 1、电流放大系数： 晶体管放大能量参数。 2、集－基极反向截止电流ICBO。 其值越小，温度稳定性越好。 3、集－射极反向截止电流ICEO。 称穿透电流，ICEO=（1+β）ICBO 4、集电极最大允许电流ICM β值下降到正常值2/3时的IC。 5、集－射极反向击穿电压U(BR)CEO 当UCE U(BR)CEO时，晶体管会击穿。 6、集电极