【2017年整理】电子信息物理学3.ppt

3.7 固态电子能谱 单色光（如X光、紫外光）、电子（离子）束照射（轰击）样品 电子能谱 样品结构和成分信息 电子能谱： X射线电子能谱（XPS） 紫外光电子能谱（VPS） 俄歇电子能谱（AES） 电子探针X射线显微分析(EPMA) 广延X射线吸收精细结构(EXAFS) 3.7 .1 电子、光子、离子同固体相互作用概貌 电子束入射到固体样品表面 光照射固体样品表面 光电子、俄歇电子（俄歇Auger效应） 粒子束入射到固体样品表面 二次电子、二次离子、X射线 3.7 .2俄歇电子能谱 俄歇电子能量 能级电子结合能 样品功函数（逸出功） 测量俄歇电子能谱 确定俄歇电子动能 内层能级（深能级）电子 结合能EK、EL1、E2,3 俄歇电子发射的元素 元素检测（元素的指纹鉴定） 3.7 .3X射线光电子能谱 原子相互靠近 分子 外壳层电子轨道交叠 能带 内壳层电子轨道相对独立 基本保持孤立原子特征 内壳层电子结合能较大 原子序数Z 电子结合能 例如:K壳层电子结合能： Z＝4（Be），111eV Z＝18（Ar），3203eV 要使电子逸出固体样品，必须克服电子结合能和电子逸出功 可见光、红外光的光子能量不够（1.8~3.1eV） 紫外光的光子能量也不够（ 3.1~42eV） 紫外光电子能谱 外壳层价电子特性 X射线可以激发样品内壳层能级的电子跃迁（42~12400eV） X射线光电子能谱 内壳层电子保持孤立原子特征 X射线光电子能谱 鉴定分子、原子价、化合物结构 连续性方程： 其他因素导致单位时间、单位体积内积累的空穴数： 扩散项 漂移扩散项 漂移项 复合项 其它 3.4 金属中的自由电子 3.4 .1 自由气能量状态与费米面 单位体积中金属的能态密度： 单位体积中的电子数（电子浓度）： 当T=0K时， 费米能级 费米温度 例如Na的费米能级： 费米温度 一般情况，温度升高对电子分布影响很小 在费米能级EF 附近，温度上升对电子分布的影响较大 E= EF 的等能面为费米面 自由电子的费米面：理想时为球面 实际的费米面，与球面由较大的区别 T=0K E EF ,完全没有电子 EEF ,完全由电子占据（电子占满能态） T0K EF-kBTE EF的电子跃迁到EF E EF+kBT的能态上 电子的费米面对金属的物理特性有较大的影响 3.4 .2 电阻率和温度的关系 漂移运动导致载流子分布偏离均匀 外电场力： 稳恒状态，力平衡 金属 外电场 杂质、缺陷、晶格振动、载流子碰撞、散射，导致载流子分布恢复均匀 平均碰撞时间： 阻力： 电导率： 迁移率： 在费米面附近的电子对电导的贡献： 总自由电荷 荷质比 费米面附近的电子手晶格散射的弛豫时间 迁移率: 半导体 n型半导体 p型半导体 晶格振动 T 晶格振动散射 对载流子 扩散加强 主导高温区 电离杂质散射 T 载流子速度 电离杂质对载流子散射 主导低温区 迁移率: 低温， T 迁移率由 主导，迁移率 中温，T 迁移率由 主导，迁移率 高温，T 迁移率由 主导，迁移率 载流子浓度n或者p 低温，T 低温本征激发很小，主要由杂质电离增加载流子浓度 中温， T 中温本征激发增加，杂质电离恒定，平稳增加载流子浓度 高温， T 高温本征激发大幅度增加，杂质电离恒定，大幅度增加载流子浓度 半导体电阻率与载流子浓度和迁移率成反比 载流子浓度 迁移率 低温，T 电阻率 载流子浓度 迁移率 中温，T 电阻率 载流子浓度 迁移率 高温，T 电阻率 3.5半导体材料 半导体材料 元素半导体：Si、Ge、Se、Te…… 化合物半导体：晶态、非晶态无机、有机化合物、氧化物 3.5.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的化学键：共价键和极性键构成的混合键 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体由9中组成： GeAs（砷化镓）单晶材料：闪锌矿晶体结构，第二代半导体材料，继Si后发展很快、应用最广的半导体材料、 直接带隙 光电子器件、光电存储材料： InP(磷化铟)单晶材料： 在某些材料上比GeAs（砷化镓）更加优异 发展的趋势为： Si GeAs InP Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体（合金半导体）： 例如： GePxAs1-x （三元素，0x1） （AlxGeP1-xAsySb1-y四元素，0x1， 0y1 ） 黑点处： 二元化合物半导体 黑但间连线上的点： 三元合金半导体 连线保卫的面上的点： 四元和经半导体 横坐标：晶格常数 纵坐标：禁带宽度、波长 化合物半导体需要与衬底晶格常数匹配 3.5.2 Ⅱ-Ⅵ 族化合物半导体 Ⅱ族半导体：Zn、Cd、Hg Ⅵ族半导体：S、Se、T