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掺杂浓度对硅锥阴极特性的影响!jemit=rq-物理学报
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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掺杂浓度对硅锥阴极特性的影响!
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!）（西安交通大学，电子与信息工程学院，西安 #!$$% ）
）（北京东方电子集团，北京 !$$$!’ ）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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基于漂移 扩散模型和量子理论中的 方法，用数值模拟方法分析了材料掺杂浓度对硅锥阴极场致发射特
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性及工作状态的影响，结果表明，硅锥阴极单纯的场致发射 特性受硅材料掺杂浓度的影响很小 但低掺杂硅
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锥阴极顶端的电位随发射电流增大而明显上升 锥体上电位变化可以等效为一个与锥体形状与掺杂相关的串联电
1
阻的作用，这一电阻对单尖发射电流有负反馈作用 另外，在常规的工作状态下，硅锥阴级的温升并不严重 这些结
1 1
果可以作为硅锥阴极设计的参考1
关键词：硅，掺杂，场致发射
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物理模型
! 引 言
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$ % 硅的场致电子发射’
掺杂浓度是硅材料的重要参数 通常认为，重掺
1
［］
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杂硅比较适于制作硅锥场致发射阴极 但是，也有 电子由体内向表面的输运和在表面的场发射可
1
研究者采用低掺杂硅（ !( 6 2 ）制作硅锥阴极， 以分
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