沉积原子入射对外延铝薄膜中失配位错形成的诱发作用的分析研究.pdf

摘要 摘要 失配位错是薄膜科学研究的重点内容之一，其主要形成于原子沉积生长过 程中，现有的实验分析手段的空间和时间分辨能力都无法达到对原子尺度微观 过程的研究。本文采用三维分子动力学模拟方法，以面心立方金属铝为研究对 象，采用EAM多体势函数计算原子间相互作用力，对外延铝薄膜中失配位错形 成的一些影响因素进行了原子模拟研究。研究内容包括：外延生长薄膜的分子 动力学模型、模拟方法的建立及其相应参数的选择；沉积原子入射位置对外延 薄膜失配位错形成的诱发作用；沉积原子入射动能对外延生长薄膜中失配位错 形成的影响。研究发现： (1)在失配度．疋=-0．06的外延铝薄膜中，失配位错孕育时间与沉积温度、 薄膜厚度有关，随着沉积温度和薄膜厚度的增大，失配位错孕育时间会减少， 即失配位错越容易形成。 以保持结构稳定，而表面上的单原子入射可以诱发其快速形成失配位错。 (3)原子入射对外延薄膜失配位错形成的诱发作用与原子入射位置有关。对 于面心立方111生长体系，原子入射N{1“，表面四种特征位置上时的诱发作 用强弱次序为：FCC位置HCP位置表面原子对顶位置表面两原子连线中点 的正上方位置。 (4)沉积原予入射通过促使一个倒置正四面体构型的原子团的挤出，诱发处 于压应变的外延膜中形成失配位错。不同的入射位置能使原子团的挤出带来差 异，当入射在FCC位置和HCP位置时，挤出的倒正四面体构型原子团的底面与 薄膜表面成一定角度；当入射在两表面原子连线中点的正上方位置时，挤出的 倒正四面体构型原子团的底面平行于薄膜表面。 (5)入射动能足够大的单原子对外延薄膜中失配位错的形成有诱发作用，且 这种诱发作用随原子的入射动能增大而增大。原子在600K下入射到失配度 厂T=-0．06，15个原子层厚且表面光滑的外延铝薄膜时，入射动能只要大于等于 0．14eV就可以诱发失配位错的形成。 (6)原子入射在FCC位置情况下，随着原子入射动能的增加，有二种不同 摘要 作用方式使倒正四面体构型原子团被挤出：a)沉积原子动能为O．14eV时，在原 予入射动能和原子压力的共同作用下，倒正四面体构型原子团才能在紧挨着沉 积原子边缘被挤出；b)沉积原子动能大于1．4eV时，仅在原子入射动能一种作 用的影响下，倒正四面体构型原子团就能在远离沉积原子的区域被挤出。 关键词：失配位错；外延薄膜；沉积；铝；分子动力学 Ⅱ ABSTRACT ABSTRACT in Misfitdislocationisoneofthe researchesthinfill key field．They mostly formintheatomic current means donot depositionprocesses,whileexperimental have resolutionin andtimeto both at enough power space analyzeanyprocesses atomistic three molecular dimensional FCC