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毫米波固态放大器 两端器件 三端器件 MMIC——8mm波段：100mW～10W(连续波) 3mm波段：100mW～1W（脉冲） 传输型放大器（双极晶体管或MESFET、HEMT等） 反射型放大器或负阻型放大器（如Gunn、IMPATT diodes） 毫米波注入锁定放大技术 ——一种实现毫米波功率提升的实用技术 将一个稳定度高的小功率振荡源（频率为fi）通过环形器向一个功率较大的振荡器（频率为fo）注入一定的功率，当fi和fo接近时，可强迫后者工作于fi，使fo具有稳定度高的输出信号频率 按传统方法，一般被注锁的振荡器自由工作时，希望它功率最大，频率在同步带中心附近。 注入信号越强，同步带宽越宽，功率起伏越大 改善毫米波注入锁定放大输出功率平坦度措施 让被注锁振荡器不工作在最佳状态！ 方法：在注入锁定状态下调试振荡器 毫米波两级注入锁定放大器实例 2 2 2 2 2 2 输入功率(mW) 141 141 140 142 144 145 输出功率(mW) 93.5 93.4 93.3 93.2 93.1 93.0 工作频率(GHz) 输出功率非常平坦 毫米波注入锁定带宽展宽技术——VCO调谐跟踪 当VCO频率在锁定范围之外,混频器充当鉴频作用,输出中频信号形成误差电压来控制VCO的频率,让其进入锁定范围 毫米波混频器 混频器可分为： 单端混频器 平衡混频器： 双平衡混频器 90度相移型 180度相移型 根据传输线的类型划分 波导混频器 微带混频器 鳍线混频器 。。。。。 基波混频器 谐波混频器 根据信号频率与本振频率的关系 毫米波混频器产品 Ireland FARRAN公司 毫米波混频器产品 电子科技大学研发的W波段平衡混频器 波导电路结构 f=92~96GHz IF=50MHz~1.5GHz L=9~11dB 微带电路结构 f=92~96GHz IF=0~2GHz L=7~9dB 毫米波混频器产品 毫米波混频器产品 Ireland FARRAN公司 毫米波混频器产品 毫米波混频器产品 美国Agilent公司的仪器扩频测试用的毫米波谐波混频器 已形成Ka～W波段系列 毫米波倍频器 变容管：倍频效率高，带宽窄 混频管：宽带倍频应用 HEMT：(有源倍频)存在倍频增益 GaAs Gunn谐波提取： (有源倍频) 带宽窄， 存在倍频增益 IMPATT高次倍频： (有源倍频)倍频效率高，带宽窄 毫米波 倍频器 Ka波段（26.5～40GHz）宽带二次倍频器 采用混频管alpha公司的DMK2784肖特基势垒二极管 输出频率： 26.5～40GHz 输入频率： 13.25～20GHz U波段四倍频器实例 采用PHEMT MMIC二次倍频＋肖特基混频管二次倍频 (输入功率5dBm） 采用Agilent 公司的 HMMC5040！ 5040还可以一次性实现 Ka波段的三或四倍频 基波注锁谐波提取二次倍频实例 采用GaAs Gunn双端口谐波振荡器实现二次倍频 谐波二次倍频器 Pin=2mW Pout(mW) 美国Agilent 公司产品83558A 国内41所也有相应产品 W波段（75～110GHz）宽带倍频源——仪器应用 六倍频 毫米波倍频雪崩二极管是利用雪崩过程中的高度非线性来实现高次、高效率倍频器的电子器件。在直接的信号发生变得难以实现时，雪崩倍频器可用作信号源。它在单级中的高次谐波能力能避免某些变容倍频链的主要困难，如带宽、级间阻抗匹配和滤波。因此雪崩倍频器在毫米波接收机的本振，参放泵源和发射机的载频源中具有广泛的用途。 雪崩高次倍频器——一种新工作机理的高效率倍频方式 发源于：ORION Research Institute，Kiev，Ukraine 雪崩高次倍频器——一种新工作机理的高效率倍频方式 2002年，南京55所也研制出了W波段的雪崩倍频管 输入频率6.3～6.5GHz，输入功率≤1.1W，15次倍频后，输出频率为95.5～97.5GHz，输出功率≥2mW，最大输出功率为18mW——最大倍频效率达到-18dB W波段雪崩倍频器电路 同轴波导型 微带波导型 雪崩二极管 微波 输入 微波 输入 毫米波 输出 毫米波 输出 雪崩二极管 滤波器 倍频器 活塞 * * 2008年 微波技术新进展 毫米波元器件技术发展动态 毫米波固态电路 毫米波频率：30～300GHz 毫米波波长：10～1mm 毫米波波导频段划分 毫米波固态电路 Millimeter Wave Solid-State Circuits 振荡器—Oscillators 混频器—Mixer