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* 5.5功率MOSFET 1、功率MOSFET 结构的发展 普通MOSFET结构 LDMOS 结构 源 栅 漏 P N N P+ N- P N+ P+ 源 栅 漏 VVMOS结构 N漂移区 N+衬底 P基区 P基区 N+ N+ 门 源 漏 沟道 N漂移区 N+衬底 源 漏 沟道 P基区 N+ P基区 N+ 门极 JFET区 VDMOS结构 UMOSFET的结构 N漂移区 N+衬底 P基区 P基区 N+ N+ 漏 沟道 门 门极 源 Cool MOSFET S S G D P P N+ N+ N+ N+ N+衬底 N-外延层 P+ P+ 2、功率MOSFET的基本特性 功率MOSFET在小漏极电压下的I-V特性曲线 小栅压下成立 大栅压不成立 功率MOSFET在低漏极电压下的特性 功率MOSFET在高漏极电压下的特性 功率MOSFET的反向特性 3.VDMOSFET的导通电阻 电流以45度角发散 当电流到达N+衬底时，电流扩展到整个元胞宽度 电阻更小 当电流到达N+衬底之前，电流扩展到整个元胞宽度 4.VDMOSFET元胞的优化 栅极优化图（阻断电压=30V） 栅极优化图（阻断电压=100V） 栅极优化图（阻断电压=300V） 5 .VDMOSFET阻断电压影响因素分析 1）漂移区参数的影响 2）终端的影响 正六边形的VDMOSFET三维结构 2)功率MOSFET的终端设计 VDMOSFET各个元胞在表面处于基本相同的电位，元胞之间不存在击穿现象，但在边界元胞与衬底N-外延层之间存在着高压。又由于平面型PN结在表面的曲率半径小，使表面的最大电场要大于体内的最大电场，因此在边界元胞的表面存在着强电场。结终端处理的目的就是降低平面结终止区局部强电场，以提高提高表面击穿电压耐量。适用于VDMOSFET的终端技术处理技术有场板、场限制环、截至环等。 该终端采取了金属场板、场限制环、等位环、截至环等技术。 ★金属场板技术 在器件终端的金属层不仅覆盖在需要引出的电极处，还覆盖在主结在处的SiO2层上 ，是控制靠近表面的耗尽层边缘的另一种方法。 什么是金属场板技术？ 场板如何改变表面耗尽层边缘？ 请同学们讨论，对如图所示的场板加正、负偏压，看表面耗尽层边缘的变化。 N+ P 2 1 0 VFP 实际的金属场极板不需要单独控制极板的电源 *