1.1.1二极管单向导电特性的测试.pptVIP

特点 （1）非线性元件较多 （2）直流与交流同时存在 （3）受控源较多 （4）抓主要、略次要 （5）存在着反馈 学习要求 （1）多画图、画好图 （2）重认知、会应用 电路的基本结构→元器件的作用→电路的特点→电路的估算→电路的应用场合→元器件参数对电路性能的影响→电路的改进 （3）重实践、多动手 PN结的形成的动态演示 + + + + - - - - + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - 空间电荷区 内电场 空间电荷区 耗尽层 阻挡层R 势垒层 内电场E ?因多子浓度差 ?形成内电场 ?多子的扩散 ?空间电荷区 ?阻止多子扩散，促使少子漂移。 PN结合 空间电荷区 多子扩散电流 少子漂移电流 耗尽层 PN结正向偏置的动态演示 PN结反向偏置的动态演示 PN结正偏时，耗尽层变窄具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻； PN结导通（仍有由本征激发引起的很小的反向漂移电流）。 PN结反偏时，耗尽层加宽仅有很小的反向漂移电流，呈现高电阻。 PN结截止 结论 ∴ PN结具有单向导电性。 二极管是单个PN结构成的器件,也具有单向导电性。 P N 小结 1. 半导体基础知识 1）本征半导体 2）杂质半导体：N型 P型 PN结的形成 PN结的单向导电性 做一做 项目1-1-2：二极管伏安特性的测试（逐点法） 任务要求：按测试程序要求完成测试内容，并撰写测试报告。 测试设备：模拟电路综合测试台1台，0～30V直流稳压电源1台，数字万用表1块，mA表1只，?A表1只。 测试电路：如图所示，其中二极管VD为1N4148（或其他），R为1k?。 ① 按图（a）接好电路（此时读出的电压和电流值应视为正值）。 ② 按下表的要求测量各点电压和电流值，并填入表中，表中U为二极管两端电压。 U/V 0 0.5 U/V -1 -10 -20 I/mA 0.5 1 2 3 5 10 I/?A 做一做——二极管伏安特性的测试（逐点法） 测试程序： ③ 按图（b）接好电路（此时 读出的电压和电流值应视为负值） ④ 按下表的要求测量各点电 压和电流值，并填入表中，表中 U为二极管两端电压。 U/V 0 0.5 U/V -1 -10 -20 I/mA 0.5 1 2 3 5 10 I/?A 做一做——二极管伏安特性的测试（逐点法） 测试程序： 1.正向特性 死区 二极管两端加正向电压时二极管未必导通，如图 ——这部分称为死区 门坎电压Uon 正向电压超过某一数值后，电流才显著增大，这个电压值称为门坎电压 读一读——二极管伏安特性曲线 PN结的正向特性 ★二极管的正极电位比负极电位高，称二极管处于正偏状态。 1.正向特性 读一读——二极管伏安特性曲线 管压降UVD 当正向电流稍大时，正向特性几乎与横轴垂直，说明在电流在较大范围变化时，二极管两端电压变化很小。 ——这个电压称为管压降 通常，硅管的管压降约为0.6～0.8V，锗管的管压降约为0.1～0.3V。 1.正向特性 读一读——二极管伏安特性曲线 高电阻 很小的反向漂移电流 PN结的反向伏安特性 2.反向特性 在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。 ★二极管的负极电位比正极电位高，称二极管处于反偏状态 读一读——二极管伏安特性曲线 二极管外加反向电压时，反向电流很小，管子处于反向截止状态，呈现出很大的电阻，而且反向电流几乎不随反向电压的增大而变化。 小功率硅管的反向电流一般小于0.1?A，而锗管通常为几?A。 二极管的反向特性受温度的影响较大。 2.反向特性 读一读——二极管伏安特性曲线 二极管正偏电压超过门坎电压时，二极管处于导通状态。 注意： 二极管反偏电压超过一定电压时，二极管并非处于截止状态，而处于击穿状态。 显然，二极管的单向导电性是有前提条件的！！ 读一读——二极管伏安特性曲线 运用数字万用表判别二极管的好坏 打开数字万用表电源 量程拨至二极管档 两表笔分别插入相应孔 测试结果 两表笔对调位置测量，都有嘟嘟响声 二极管正反向均击穿，即已经损坏 一次测量值为500～700，另一次测量值为1 测量值为500～700的一次黑表笔接的是二极管负极，红表笔接的是正极 读一读——二极管的测量与判别 测量过程中数字万用表显示的500～700，是指二极管的正向导通压降 运用数字万用表