10章 固体中的光吸收和光发射.ppt

谢谢！ 第 十 章 固体中的光吸收和光发射 主要内容: 10.7 光电导和光生伏特 10.9 固体发光的衰减机构和陷进效应 10.8 固体中的光发射过程 10.10 电致发光 半导体发光二级管 10.11 受激发射 10.7 光电导和光生伏特 半导体吸收光子后，引起载流子激发，增加了电导率，这附加的电导称为光电导，这种现象又称为半导体的内光电效应。其中，附加的载流子来自带间跃迁或者杂质的激发。因此，光电导有本征光电导和杂质光电导之分。 1、光电导 式中 ，对于本征光电导， 。因此，要制成较灵敏的光敏电阻，即要求 有较大的值。所以，降低温度能提高灵敏度。 其中， 和 代表热平衡时载流子的浓度。 假设热平衡时电导率为： ，令 为附加的光电导，则： 1.对于本征光电导，电导率为： （一）定态光电导同光强的关系 实际上，实验发现光电导的特性和半导体内部的杂质有密切的关系，光电导现象在实验上主要进行：定态光电导同光强的关系、光电导的弛豫时间、光电导的光谱分布三个方面进行研究。 （1）线性光电导 定态光电导是指恒定光照下的光电导数值。可分为线性和抛物线性光电导。 例如：硅、氧化亚铜等一些半导体材料，在光强较低时，定态光电导同光强有线性关系。在定态情况下有： 例如：硫化铊等一些半导体材料，定态光电导同光强的平方根成正比。在定态情况下有： （2）抛物线性光电导 式中， 代表单位时间内通过单位面积的光子数， 代表吸收系数， 代表量子产额（每个光子所产生的电子-空穴对） （二）光电导的弛豫时间（标志着半导体材料对光的反应快慢）。在定态条件的情况下，对于线性光电导，当光照开始（t=0）后， 如果t=0, ,则： 因此，可以定义弛豫时间： 。在这个时间t 内， 上升或下降都达到定态的一半。 光照取消以后， （上升曲线） （下降曲线） 影响复合率和弛豫时间的因素主要是杂质和缺陷（ 起俘获电子或空穴的作用）。 （三）光电导的光谱分布 这就是对于不同波长的光、半导体光电导的强弱问题 在最大值的长波方面，光电导的下降是由于当光波长接近于光吸收的长波限，半导体对光的吸收迅速减少；在最大值的短波方面，光电导的减少，是由于非平衡载流子寿命的降低。 2、光生伏特 在光的照射下，半导体p—n结的二端产生电位差的现象，人们称为光生伏特效应。（半导体吸收光子后，产生了附加的电子和空穴，这些自由载流子在半导体中的局部电场作用下会各自运动到一定的区域积累起来，形成净空间电荷而产生电位差，） 经计算我们得出光电池的输出电压和电流的关系： 在开路情况下，I=0，此时光电流恰好与P-N结正向电流相消，开路电压V0为： 短路时，V=0，这是流经外电路的电流为： I=Il 10.8 固体中的光发射过程 发光就是物质在热辐射之外以光的形式发射出多余的能量。常把发光的全过程分为以下几个步骤：（1）物质中的可激活系统在吸收光子后而跃迁到较高的能态；（2）激活系统回复到较低能态（一般为基态）而发射出光子。前一过程称为激发，后一过程称为发射。 1、导带到价带的跃迁 导带中的电子向价带跃迁，与价带中的空穴直接复合，便产生能量等于或大于禁带宽度Eg的光子。 按能带结构，半导体材料可分为直接能隙的和间接能隙的两大类。直接能隙材料：允许电子由导带向价带直接跃迁，其动量不变；间接能隙材料：由导带向价带跃迁时，为了满足动量守恒，在发射光子的同时，发射或者吸收一个声子。 边缘发射的光子能量总比禁带的宽度要小。比如：ZnS等材料。图10-23所示，为边缘发射的示意图。 2、激子的复合 当具有足够纯度的晶体吸收一个能量大于禁带宽度Eg的光子之后，这个光子会使一个电子由价带跃迁到导带，而在价带中留下一个空穴，生成的电子和空穴，可以在晶体中自由地移动，但由于电子和空穴彼此 具有相吸的库仑互作用，它们会形成某一种稳定的束缚态。这种束缚着的电子-空穴对被称为激子。 3、能带和杂质能级之间的跃迁 4、施主到受主的跃迁 俘获在施主D中的电子可以与俘获在受主A中的空穴复合而产生发光。施主-受主对内电子跃迁所发射的是不连续的光谱线。 5、在等电子中心的跃迁 当基质晶体中的一个原子被具有相同电子价的另一个原子替代时，例如N原子替代GaP中的P原子时就形成等电子中心。等电子中心能够俘获一个电子变成带负点，从而在短程内，它能够吸引一个空穴，构成一个束缚激子。束缚激子复合时，同样可以发射光子。因为束缚在等电子中心的激子是被局限在很小的范围内，具有较大的复合几率，从而具有较高的发光效率。 10.9 固体