2012半导体物理第一章节-2+.ppt

室温下 Eg(RT)= 0.18ev Eg(0)=0.2355ev 锑化铟能带结构和简单(近理想)能带模型相似，极值位于布里渊区中心. 图锑化铟沿[111]方向 能带结构 1．7．2砷化镓的能带结构 导带极小值位于k=0(Γ)处，等能面是球面. 导带底电子有效质量为0.067m0. 在[110]和[100]方向布里渊区边界L和X处各有一个 极小值，电子的有效质量分别为0.55和0.85m0 . 室温下，Γ、L、X三个极小值与价带顶的能量差 分别为1.424ev，1.708ev和1.900ev. L极小值的能量比布电渊区中心极小值的约高 0.29ev。 砷化镓价带有一重空穴带V1，一轻空穴带V2和自旋—轨道耦合分裂出的第三个能带V3.重空穴带极大值也稍许偏离 。 重空穴有效质量为0.45m0 , 轻空穴有效质量为0.082 m0 ， 第三个能带的裂距为0.34ev, 室温下Eg=1.424ev, Eg~T按(1-66)变化,Eg(0)为1. 519ev 如图：砷化镓沿[111]和[100]方向能带结构图 1．7．3磷化镓和磷化铟的能带结构 闪锌矿型结构,价带极值位于k＝0处， 磷化镓导带极小值不在布里渊区中心，在[100]方向. =0.35 m0 磷化铟导带极小值处k＝0， ? X k E k E k E 磷化铟导带极小值处k＝0 1．7．4混合晶体的能带结构 III-V族化合物之间,连续固熔体.构成混合晶体，能带结构随合金成分变化而连续变化(可调). 问题： 能否用两组混合？ 能带结构如何变化？ 是否Eg在两者间变化？ 磷砷化镓混合晶体----砷化镓和磷化镓合成制成,形成三元化合物半导体.其化学分子式可写成GaAs1-xPx (0≤x≤1).x称为混晶比. GaAs1-xPx能带结构随组分x的不同变化.实验得到：当0≤x≤0.53,其能带结构与砷化镓类似，当0.53≤x≤1,其能带结构与磷化镓类似． 禁带宽度不同，晶格常数不同，能带结构不同 图:禁带宽度随组分的变化 磷化镓导带极小值在在[100]方向 四元化合物: III-V族化合物构成的四元化合物混合晶体被研制。在磷化铟衬底上可制备出Ga1-xInxP1-yAsy四元化合物.在GaAs衬底上制备出Al1-x GaxAs1-y Sby四元化合物。 Ga1-xInxP1-yAsy Eg和晶格 常数随组分x,y的变化关系 图中实线为等禁带宽度 线，虚线为等晶格常数线， 极值附近等能面为沿[111]方向旋转的八个旋转椭球面，每个椭球面有半个在第一布里渊区内. 简约布里渊区内共有四个椭球. ml=(1．64±0.03)m0, mt =(0.0819±0.0003)m0 1．6．2硅和锗的价带结构 导带多满足抛物线结构，价带情况变化大。 硅和锗的价带结构也是： 1.通过理论计算，求出E(k)~k的关系; 2.由回旋共振实验定出其系数，从而算空穴出有效质量。 计算复杂(不讨论)，但对价带结构主要性状应有概念了解,理论计算及p型样品的实验结果。硅和锗的价带结构复杂。 直接给出结论 假定价带顶位于波数k＝0，在布里渊区的中心(对硅锗成立)，能带简并。 不考虑自旋，硅和锗的价带是三度简并的。计入自旋，成为六度简并的. 考虑自旋—轨道偶合，六度简并部分消除，分为两支,得到—组四度简并的状态和另一组二度简并的状态。 四度简并的能量表示式为: 常数A、B、C需借助于回旋共振等实验定出 由式看到，对同一个波矢k，E(k)可有两个值. 在k＝0处，变为单值,能量重合，这对应于极大值重合的两个能带，表明硅、锗有两种有效质量不同的空穴。 在k＝0处，变为单值,能量重合，这对应于极大值重合的两个能带，表明硅、锗有两种有效质量不同的空穴。 根式前取负号，得到有效质量较大的空穴，称为重空穴，有效质量用 表示； 如取正号，则得到有效质量较小的空穴，称为轻空穴，有效质量用