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氢化非晶硅中空穴与电子地俘获效应_PIN型非晶硅太阳能电池稳定性研究.pdf

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氢化非晶硅中空穴与电子地俘获效应_PIN型非晶硅太阳能电池稳定性研究

第 卷 第 期 固体 电子学研 究与进展 , 年 月 , 氢化非 晶硅 中空穴与 电子 的俘获效应 型 柞 晶硅太 阳 能 电池稳定性 研 究 — 林鸿生 中国科学技术大学物理 系 , 合肥 , 年 月 日收到初稿 , 年 月 日收到修改稿 提 要 通 过 应 用 一 解 法 数 值 求解 方 程 , 对 经 高 强度 光 辐 照 过 的 。 , 一 型 晶硅 阳能 池 机 拟 果 明 流子 应所 成 非 太 电 进 行计算 数值模 结 表 载 俘获效 造 的 中 ,

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