模电重点三部曲(基础知识+重点知识+自测题).doc

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模电重点三部曲(基础知识重点知识自测题)

《三部曲 Ⅰ、各章复习重点①加正向电压时,相当正向导通的二极管。(压降为0.7V,) ②加反向电压时截止,相当断开。 ③加反向电压并击穿(即满足U﹥UZ)时便稳压为UZ 。 11、二极管主要用途:整流、限幅、继流、检波、开关、隔离(门电路)等。 二、应用举例:(判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0 。三极管复习完第二章再判) 参考答案:a、因阳极电位比阴极高,即二极管正偏导通。是硅管。b 、二极管反偏截止。 f 、因V的阳极电位比阴极电位高,所以二极管正偏导通,(将二极管短路)使输出电压为U0=3V 。G、因V1正向电压为10V,V2正向电压13V,使V2 先导通,(将V2短路)使输出电压U0=3V,而使V1反偏截止。h 、同理,因V1正向电压10V、V2正向电压为7V,所以V1先导通(将V1短路),输出电压U0=0V,使V2反偏截止。(当输入同时为0V或同时为3V,输出为多少,请自行分析。) 第二章重点掌握内容: 一、概念 三极管由两个PN结组成。从结构看有三个区、两个结、三个极。(参考P40) 三个区:发射区——掺杂浓度很高,其作用是向基区发射电子。 基区——掺杂浓度很低,其作用是控制发射区发射的电子。 集电区——掺杂浓度较高,但面积最大,其作用是收集发射区发射的电子。 两个结:集电区——基区形成的PN结。叫集电结。(JC) 基区——发射区形成的PN结。叫发射结。(Je) 三个极:从三个区引出的三个电极分别叫基极B、发射极E和集电极C(或用a、b、c) 对应的三个电流分别称基极电流IB、发射极电流IE、集电极电流IC 。并有:IE =IB+ IC 三极管也有硅管和锗管,型号有NPN型和PNP型。(参考图A。注意电路符号的区别。可用二极管等效来分析。) 三极管的输入电压电流用UBE 、IB表示,输出电压电流用UCE 、IC表示。 即基极发射极间的电压为输入电压UBE,集电极发射间的电压为输出电压UCE。(参考图B) 三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数β=IC / IB (或IC=β IB)和开关作用. 4、三极管的输入特性(指输入电压电流的关系特性 )与二极管正向特性很相似,也有: 死区电压:硅管约为0.5V, 锗管约为0.1V 。 导通压降:硅管约为0.7V ,锗管约为0.2V 。(这两组数也是判材料的依据) 5、三极管的输出特性(指输出电压UCE与输出电流IC的关系特性)有三个区: ①饱和区: 特点是UCE﹤0.3V,无放大作用,C-E间相当闭合.其偏置条件JC, Je都正偏. ②截止区: 特点是UBE ≦0, IB=0, IC=0,无放大. C-E间相当断开..其偏置条件JC, Je都反偏. ③放大区: 特点是UBE大于死区电压, UCE﹥1V, IC=β IB. 其偏置条件Je正偏JC反偏. 所以三极管有三种工作状态,即饱和状态 ,截止状态和放大状态,作放大用时应工作在放大状态,作开关用时应工作在截止和饱和状态. 6、当输入信号Ii 很微弱时,三极管可用H参数模型代替(也叫微变电路等效电路)(参考图B) 7、对放大电路的分析有估算法和图解法 估算法是:⑴先画出直流通路(方法是将电容开路,信号源短路,剩下的部分就是直流通路), 求静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ 。 ⑵画交流通路,H参数小信号等效电路求电压放大倍数AU输入输出电阻RI和R0 。 (参考P58图2.2.5) 图解法:是在输入回路求出IB后,在输入特性作直线,得到工作点Q,读出相应的IBQ、UBEQ 而在输出回路列电压方程在输出曲线作直线,得到工作点Q,读出相应的ICQ、UCEQ 加入待放大信号ui从输入输出特性曲线可观察输入输出波形,。若工作点Q点设得合适,(在放大区)则波形就不会发生失真。(参考P52 图2.2.2) 8、失真有三种情况: ⑴截止失真:原因是IB、IC太小,Q点过低,使输出波形后半周(正半周)失真。消除办法是调小RB,以增大IB、IC,使Q点上移。 ⑵饱和失真:原因是IB、IC太大,Q点过高,使输出波形前半周(负半周)失真。消除办法是调大RB,以减小IB、IC,使Q点下移。 ⑶信号源US过大而引起输出的正负波形都失真,消除办法是调小信号源。 2. 应用举例 说明:

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