模电课程第一章.ppt

当PN结外加正向电压时。多子扩散形成正向电流。PN结导通，有较大的正向电流流过； 当PN结外加反向电压时。少子漂移形成很小的反向电流，PN结截止。 PN结的单向导电性： PN结的伏安特性曲线 正向特性：正向电压与电流指数关系 反向截止特性： 反向击穿特性 1.2.3反向击穿特性 当PN结两端外加的反向电压增加至一定值后，流过PN结的反向电流急剧增加，此现象称为PN结的反向击穿。 PN结的反向击穿按照其击穿机理的不同，可分为雪崩击穿和齐纳击穿两种。 PN结的电容效应根据产生机理不同可分为： 势垒电容CT和扩散电容CD。 势垒电容：由阻挡层的空间电荷引起的，当外电压变化时，就会引起积累在阻挡层的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。 势垒电容：耗尽层宽窄变化所等效的电容 1.2.4 PN结电容效应 扩散电容：PN结外加正偏电压变化时，多子在扩散过程中引起电荷积累产生的。 P + - N 势垒电容在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略 PN结的结电容为势垒电容和扩散电容之和 二极管是由一个单向导电的PN结构成。实物如图: 1.2.5 半导体二极管 一、基本结构 PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 引线 外壳线 触丝线 基片 点接触型 PN结 面接触型 P N 二极管的电路符号： 二、伏安特性 U I 死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压UBR 电流方程 温度特性：随着环境温度的增加，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线将下移。 三、主要参数 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2.最高反向工作电压UR 二极管工作时允许外加的最大反向电压值。超过此值时，二极管有可能因反向击穿而损坏。手册上给出的最高反向工作电压UR一般是击穿电压U（BR）的一半。 3. 反向电流 IR 指二极管加反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 4 最高工作频率fM 指二极管正常工作时的上限频率值，它的大小与二极管的结电容有关，若超过此值，二极管的单向导电性会受到影响。 5 直流电阻RD 6. 微变电阻 rD iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 二极管电路分析举例 【例1-1】电路如图所示，假设图中的二极管是理想的，正向导通压降为0.7V，判断二极管是否导通，并求出相应的输出电压。 解：①二极管D导通，输出电压 2.3 V ② 二极管D截止，输出电压5V 【例1-2】电路如图所示，假设二极管的正向导通压降为0.7V，输入电压 是幅值为6V的正弦电压，试分析电路的工作原理，并画出 和 的波形。 1.2.6 稳压二极管 稳压特性及符号： (b) 伏安特性 (a) 符号 （3）电压温度系数?U（%/℃） （5）额定功耗 稳压二极管的参数: （1）稳定电压 UZ （2）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。 稳压值受温度变化影响的系数。 （4）动态电阻 稳压二极管的应用举例 uo iZ DZ R iL i ui RL 稳压管的技术参数: 负载电阻 。 要求当输入电压由正常值发生?20%波动时，负载电压基本不变。 解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为Izmax 。 求：电阻R和输入电压 ui 的正常值。 ——方程1 令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。 ——方程2 uo iZ DZ R iL i ui RL 联立方程1、2，可解得： 1.2.7二极管的应用 二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等 一、限幅电路 并联上限幅电路/并联下限幅电路 串联上限幅电路/串联下限幅电路 双向限幅电路 二、门电路 一、发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。 1.2.8 其他类型二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加 二、光电二极管 1.3 双极型晶体管 (a)、(b)小功率管 (c)中功率管 (d)大功率管 图2-3 晶体管的常见外形 利用不同的掺杂方式在同一块硅片上，制造出含两个PN结的