企业自主创新与技术能力构建战略.docVIP

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企业自主创新与技术能力构建战略   摘 要:技术引进、消化吸收和自主创新的路径难以全面解释后发企业自主创新能力构建的演化过程。基于知识转移的视角,构建了后发企业可以采取的四种技术能力构建战略,分别为全面引进消化战略、引进消化和模仿战略、模仿战略、全面创新战略,不同战略选择所形成的自主创新程度是不一样的。   关键词:技术能力;自主创新;知识转移   中图分类号:F27 文献标识码:A doi:10.19311/j.cnki.1672-3198.2016.33.061   1 引言   企业的自主创新与企业研发能力的构建和演化有着密切的关系,对企业自主创新能力的研究也一直受到国内外学者的关注。Nonaka Takeuchi、Kim对日本、韩国企业创新的研究均极为关注企业的研发活动。但是,Nonaka Takeuchi所提出的知识螺旋模型源自于已具有世界级创新能力的日本企业,该模型专注于企业内知识创造的过程。而Kim提出的“引进、消化吸收、自主创新”的框架需要进一步的细化和精炼,才能够为后发企业构建自主创新能力提供更为明确的指导。   本文的目的在于进一步探讨后发经济体中企业自主创新能力演化的过程,并以三星在VLSI(超大规模集成电路)上的自主技术创新过程和不同阶段的技术能力构建战略为例,探讨了后发企业技术能力构建的四种战略选择。   2 企业技术能力演化阶段   Kim对韩国三星通过技术学习成为世界领先的半导体企业的过程进行了详细研究。在三星技术学习的过程中,研发团队通过一个个复杂研发任务的实施和完成而获得和提升了技术能力,在其学习过程中,通过技术引进、消化吸收外部的技术知识然后逐步形成和提升了三星的自主创新能力。   Kim将三星技术能力构建的过程概括为技术引进、消化吸收和创新三个阶段。为了更为详细的描述和分析该过程,本文对三星在VLSI上的技术能力构建从知识转移和创造的视角加以细化。如图1所示,三星在VLSI上的技术能力的构建过程可以视为不同技术能力等级的跨越,这些层级可以按照DRAM的不同性能(沿着64K、256K、1M、4M、64M、256M的技术等级)划分。   图1 三星VLSI技术能力构建过程   备注:图中虚线为日本企业在DRAM技术上发展曲线,实线为   韩国三星集团在DRAM技术上的发展曲线,节点为某种具体   的DRAM技术研发完成时间。三星在VLSI上的技术能力构建过程可细分为五个阶段。三星在64K和256K DRAM上的技术能力是通过技术引进和消化吸收的过程构建的,尽管此时三星研发团队的知识基础较低,但其努力的强度很高,而且知识转移发起方的意愿也很高,因此三星的研发团队能够完成64K DRAM技术的转移。三星在美国硅谷和韩国本土构建了两个平行的研发团队,在256K DRAM的开发过程中,三星在美国硅谷的研发团队主动放弃了从合作伙伴处转移知识,而是通过逆向工程、研究文献、拜访大学和研究机构专家等方式获取新的知识。同时,在韩国的团队仍采用引进合作伙伴的技术知识进行研发。这个过程中,美国硅谷团队主要通过模仿竞争者的产品和技术进行知识转移和创造。当然,三星为了开发VLSI而组建的两个研发团队之间的知识转移是非常频繁,而且效率很高。在1M DRAM技术上的研发,两个团队均是通过模仿的方式进行外部新知识的获取,因为外部已经没有竞争者愿意向其进行知识转移,而两个团队间的知识转移程度和努力程度仍然很高。在4M DRAM技术上的开发中,因为技术封锁,外部模仿的对象已经没有了,三星开始完全自主研发,此时处于创新阶段,并在产品开发成功时,大大缩短了和竞争对手的差距,与竞争对手具备了同样的技术能力。在64M、256M DRAM的开发中,三星凭借前期积累的技术能力和努力,终于超越对手,成为VLSI领域世界领先的企业。   3 企业技术能力构建战略   基于Kim对三星在VLSI上技术能力构建的过程的研究,本文总结了三星VLSI研发团队在技术学习过程中的多种技术能力构建战略,包括完全引进消化、引进消化和模仿、模仿、全面创新四种战略。采取不同战略的条件,是与知识转移有关的,主要由知识转移发起方的意愿和接受方的知识基础与努力强度来衡量。   3.1 完全引进消化战略   后发企业在追赶过程中的初期阶段,因企业技术能力处于极低水平,与竞争对手的差距很大,可采取完全引进消化战略。该战略主要指与行业的领先者或拥有某种专有技术的企业进行合作或联盟,通过购买获得技术许可,进行技术转移,获得技术能力。在此战略下,通过契约的形式使拥有某种技术的合作伙伴转移知识的意愿保持较高水平,尽管接受方先前的知识基础很低,但可以通过提高努力的强度使吸收能力处于较高水平,仍可以实现知?R的转移。   3.2 引进消化和模仿战略

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