浅析MOS场效应晶体管及其发展应用.docVIP

浅析MOS场效应晶体管发展应用　　　 电子科学与技术 2008118176 刘婵　　　 摘 要： MOS场效应晶体管（MOSFET）是一种半导体表面场效应器件，是靠多数　　 载流子传输电流的单极器件。它利用了半导体的表面效应，使得晶体管在硅表面得　　　 以实现，从而广泛地应用于大规模集成电路和超大规模集成电路中。另外，随着　　　 MOSFET的发展，其制作工艺简单、功耗低，集成度高的优点逐渐突出，将不仅应　 用数字领域，而且还将应用在模拟领域。因此，MOSFET在半导体器件中占有相当　　　 重要的地位，是最主要的器件之一。　　 关键词：MOSFET器件，半导体表面场效应，工作原理，发展历程，应用　 前言　　 MOSFET是Metal—Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的英文缩写，平面型器件结构。绝缘栅场效应晶体管可以以元素半导体Ge、Si为材料，也可以用化合物半导体GaAs、InP等材料制作，目前以使用Si材料的为最多。MOS器件作为MIS器件中最为典型的一种，MIS器件栅下的绝缘层可以选用SiO2、Si3N4和Al2O3等绝缘材料，但以使用SiO2最为普遍。　 MOSFET的基本工作原理为半导体表面场效应。半导体表面场效应是指利用电压所产生的电场控制半导体表面电流的效应它是绝缘栅场效应管(如MOS场效应管)所基于的工作原理。若采用MIS(金属-绝缘体-半导体)(Si02为绝缘体)结构来研究表面电场效应，随着金属和半导体间电场的变化，半导体表面势和空间电荷区内电荷分布情况随电压的变化而变化，主要可归纳为堆积、耗尽和反型三种情况。　 MOS晶体管的工作原理，虽然早在三十年代就已提出来了，但当时对半导体的界面，表面物理机制了解不透，所以有关场效应器件的许多试验都没有获得成功。而且同时被以后发明的双极晶体管所掩盖，故MOS晶体管的运用迟迟未能变为现实。　　 直到1960年，发表了使用二氧化硅膜的MOS晶体管以来，才开始其实用化的研究。六十年代初，凯洪(D．Kahu)和阿塔拉(M．M．Atalla)经过大量研究以后发现，用热氧化的方法在硅单晶表面形成二氧化硅，是制作场效应器件的理想绝缘层。这种绝缘层损耗低，介电性能好，用它作MOSFET的栅极绝缘层可以承受较高的电场强度。尤其重要的是，硅和二氧化硅界面的表面能级密度可以控制得很低，这样，外加的栅极电压就很易控制界面附近的半导体能带弯曲情况，使用金属二氧化硅—半导体结构就能制成既简单又实用的MOSFET。到了本世纪七十年代，MOS的种类名目繁多，甚至研制出超出MOS结构原意的器件，应用范围也在不断扩大，如用于微型计算机及计算机存储器等领域。当前，MOSFET的沟道长度已经缩短到1Pm以下，各种短沟道MOSFET(DMOSFET，VMOSFET，DVMOSFET)相继研制成功，栅氧化层的厚度也减小到几百埃，从而使MOS器件的性能更趋理想。　　　 MOSFET简介　 一、MOSFET基本结构　　 一般MOSFET是一个四端器件，其基本结构如图（一）所示。由图可知，它的中间部分是由一个MIS结构构成的MOS电容，绝缘层上的金属电极称为栅极（G）。MOS电容两侧分别为源电极S和漏电极D。第四个电极为衬底电极B。栅极上施加不同的电压可以改变绝缘层中的电场强度，从而控制半导体表面电场，改变半导体导电沟道的导电能力，控制MOS管的工作状态。正常工作状态下，载流子从源极流入沟道，从漏极流出。　　　 理想的MOS结构，栅极上没有外加电压时，由于漏源之间被漏-衬和源-衬两个背靠背的pn结二极管隔离，因而不论漏源电压方向如何，漏源之间都不会存在电流。当在栅电极上施加正电压时，栅电压将在栅下的氧化层中产生电场，其电力线将从栅电极指向半导体表面。这样，外加电压将在半导体表面产生感应电荷。栅电压发生变化时，半导体表面状态发生改变，导电沟道的导电能力不同，漏特性随之发生变化。　　 二、MOSFET发展历程及应用　　 1960年前后，由于平面工艺的发展，使得半导体表面态问题找到了一定的解决方案，表面态密度大为降低，同时还实现了对器件结构尺寸的精确控制。因此，于三十年代提出的结型和场效应晶体管原理才在此时得以应用与研发。美国贝尔实验室Kahng及Atalla成功地研制出第一只MOSFET。其栅极结构是在氧化层表面上沉积一层极小的铝层。在栅极上施加电压之后，在硅表面可以立即观测到电场的作用，由源极流向漏极的电流增强了，而且横向流过硅表面的反型层。它采用热氧化工艺，由一个MOS二极管与两个背靠背相接的pn结所构成，器件沟道长度为25um，栅氧化层厚度为l00nm，是一个四端器件。第一只MOSFET管的成功，体现了许多优势，主要表现在输入阻抗高、噪声系数小、低功耗、温度