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薄膜材料与器件 集成电路中的薄膜 沈杰 复旦大学材料科学系 集成电路中的薄膜  薄膜技术是制作芯 片的核心技术  精密加工尺寸的发 展曲线，目前可以 达到0.05μm 左右的 精密程度。可以在 大约1cm2 的地方组 合了大约1000亿个 晶体管与电容器(称 为1 比特) 。 每个比特单位数的对数增长 及最小加工尺寸的发展趋势 复旦大学材料科学系 薄膜材料与器件 集成电路中的薄膜 。 集成电路截面示意图 在1mm厚的硅结晶板芯片上嵌入集成电路的截面示意图。左端标出这 个线路的厚度为9500nm 。右端所标晶体管的最小加工尺寸为40nm ， 2 中间是其内部构造。1cm 大小的芯片中集成了1000亿个这样的单元。 这些微小的器件由8层的配线连接，形成记忆部分、演算部分、控制 部分等，成为一个完整的集成电路。 复旦大学材料科学系 薄膜材料与器件 铝合金溅射  1980年左右，IC(集成电路) 的配线由经过蒸镀处理的纯铝制作。为了 IC 的高密度化，需要保证以下两点:①最小加工尺寸小于2. 5µm ，并且 台阶处覆盖率要高;②为防止电迁移(EM) 引起断路，要过渡到合金薄 膜。  缺点：①结合困难，②腐蚀困难。  改进：排气达到10-4Pa 以下，并且采用加2%硅的铝可以有效克服电 子迁移引起的断路(从蒸镀的经验来看，反射率高的铝膜可以克服①、 ②的缺点) 。  该方法当时作为半导体领域的高集成化的支撑技术已经很充分，所以 铝合金溅射法长期为人们所使用。 复旦大学材料科学系 薄膜材料与器件 铝合金溅射 • 氧气、氮气、水蒸气含量为溅射时气体的0.1% 以上时，镜面反射率急 剧下降。在预备排气不完全时易发生这种现象。 • 基板温度在150℃以上时，膜的柔软度变为定值。 氧气、氮气、水蒸气混入率与镜面反射率 基板温度与2%Si-Al膜的微观维氏硬度 复旦大学材料科学系 薄膜材料与器件 铝合金溅射 • 在该柔软度下结合不良率基本变为零。 • 膜的电阻率也变得稳定(150℃以下，则电阻率变大) 。 微观维氏硬度与结合不良率 基板温度与2%Si-Al膜的固有电阻 复旦大学材料科学系 薄膜材料与器件 断线与电迁移 将墨水滴入水中，墨水会瞬间扩散 开来。这是由于在浓度梯度的驱动  在高密度的器件中，横截面尺 下，物质中的分子就会从浓度高的 寸为0.1μm×0.1μm的极细配线 地方向浓度低的地方移动。同样， 通以100μA的电流，换算成横 在电子流动( 电位梯度) 的驱动下， 原子也会发生移动，这就是电迁移 截面尺寸为1cm×1cm 的配线， 6