异质结双极型晶体管HBT研究背景及简介.doc

异质结双极型晶体管 1 HBT概述 2 HBT的发展 3 HBT的特点 4 HBT的电流传输原理 5 HBT的主要性能参数 电子信息材料产业的技术水平和发展规模，已经成为衡量一个国家经济发展状况、科技进步和国防实力的重要标志。上世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明以及硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命；上世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并使人类进入了信息时代。而超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，则彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从杂质工程发展到能带工程 第一代半导体材料以硅为代表。硅是目前为止人们认识最全面、制造工艺水平最高的半导体材料。第二代半导体材料以低位错密度的垂直梯度凝固法(VGF)和水平(HB)方法生长的导电GaAs衬底材料为主。第三代半导体材料以宽禁带半导体材料为代表。其中GaAs、InP基晶格匹配和应变补偿材料体系发展得相当成熟，已成功地用来制造超高速，超高频微电子器件和单片集成电路。但是无论是从异质结材料体系设计和生长，器件性能提升，还是器件模型和模拟平台的建立上而言都还处于起步阶段，远未成熟，这其中既有大量的技术问题需要攻关，同时也有大量的基础科学问题亟待解决。 异质结双极晶体管（Hetero-junction Bipolar Transistor,简称(HBT)基区(base)异质结SiGe外延(图1)：其原理是在基区掺入Ge组分，通过减小能带宽度,从而使基区少子从发射区到基区跨越的势垒高度降低，从而提高发射效率γ, 因而，很大程度上提高了电流放大系数。在满足一定的放大系数的前提下，基区可以重掺杂，并且可以做得较薄，这样就减少了载流子的基区渡越时间，从而提高器件的截止频率 (Cut-Off Frequency)，这正是异质结在超高速，超高频器件中的优势所在。 异质结双极晶体管HBT(Heterojunction Bipolor Transistar)是指发射区、基区和区由禁带宽度不同的材料制成的晶体管.异质结双极晶体管与传统的双极晶体管不同，前者的发射极材料不同于衬底材料，后者的整个材料是一样的，因而称为异质结器件。异质结双极晶体管的发射极效率主要由禁带宽度差决定，几乎不受掺杂比的限制。这就大大地增加了晶体管设计的灵活性。 图1 加偏后NPN型GaAlAs/GaAs晶体管的能带图 异质结双极晶体管是纵向结构的三端器件，发射区采用轻掺杂的宽带隙半导体材料（如GaAs、InP），基区采用重掺杂的窄带隙材料（如AlGaAs、InGaAs）。ΔEg的存在允许基区比发射区有更高的掺杂浓度，因而可以降低基极电阻，减小发射极－基极电容，从而能得到高频、高速、低噪声的性能特点。由于ΔEg>0、并且有一定的范围，所以电流增益也很高一般直流增益均可做到60以上。特别值得指出的是，用InGaAs作基区，除了能得到更高的电子迁移率外，还有较低的发射极－基极开启电压和较好的噪声特性。它的阈值电压严格的由ΔEg决定，与普通的FET的阈值电压由其沟道掺杂浓度和厚度决定相比容易控制、偏差小且易于大规模集成。这也是HBT重要的特点。HBT的能带间隙在一定范围内可以任意地进行设计。异质结双极晶体管的结构特点是具有宽带隙的发射区，大大提高了发射结的载流子注入效率。HBT的功率密度高，相位噪声低，线性度好，单电源工作，虽然其高频工作性能稍逊于PHEMT，但它特别适合在低相位噪声振荡器、高效率功率放大器、宽带放大器中应用。 下表是RF IC的几种工艺的性能比较: 参数 Si双极 SiGe HBT GeAs FET GeAs HEMT 增益 一般 优良 优良 优良 优良 功率密度 优良 优良 一般 好 优良 效率 一般 优良 好 优良 优良 优值 好 优良 好 好 优良 击穿电压 好 好 优良 优良 优良 单电源供电 是 否 否 是 最近几年，除GaAs基的HBT已达到了相当好的速度，如=170GHZ以外，InP基的HBT发展也很快，其最好的器件及已超过200GHz，SiGe HBT则是近年来人们十分重视的器件主要原因是硅的VLSI发展已很成熟，SiGe HBT可以借用VLSI的工艺较快用到微电子领域。近几年已有报导采用商用的超高真空CVD(UHVCD)设备在8″CMOS线上制作的SiGe外延材料制作的HBT，形成12位数模转换器，其工作速度达1GH，比硅器件要快很多，而功耗延迟乘积也优于已实用的三五族化合物材料的异质结器件。典型的InGaAs/InP 单和双异质结二级型晶体管（SHBT和DHBT）如下图: SHBT和DHBT由多种材料的化合物制成，起始于磷化铟衬底。 InGaAs/InP是一种很重要的HBT材料.InGaAs/In