集成电路版图设计基础第五章匹配.ppt

school of phye basics of ic layout design * 之三：虚设器件 dummy device Ending elements have different boundary conditions than the inner elements = use dummy 匹配方法 Here the dummies are shorted transistors. Remember their parasitic contribution!? school of phye basics of ic layout design * 之三：虚设器件 dummy device 另外一种情况就是当你需要这些器件高度匹配的时候, , 也可以在四周都布满虚拟器件, 防止在四边的过度腐蚀, 以保证每个器件的周围环境都一致。 其缺点就是这种方法会占用很大的面积,采用时应多多考虑实际项目的需要。 匹配方法 the real resistors, encased by dummy devices, are protected from over-etching on all four sides. school of phye basics of ic layout design * 之四：共心 common centroid 把器件围绕一个公共的中心点放置称为共心布置，甚至把器件在一条直线上对称放置也可以看作共心技术。 现有的集成工艺中, 共心技术可以降低热梯度或工艺存在的线性梯度。热梯度是由芯片上面的一个发热点产生的,它会引起其周围的器件的电气特性发生变化。离发热点远的器件要比离发热点近的器件影响要小。共心技术使热的梯度影响在器件之间的分布比较均衡。 匹配方法 placement around a common central point school of phye basics of ic layout design * 之四：共心 – 四方交叉 cross quading 四方交叉法是将需要匹配的两个器件一分为二, 交叉放置, 尤其适用于两个 MOS器件。 采用四方交叉法可以进一步发挥共心的技术优势。 成对角线放置的两半必须总是形成一个通过中心点的单个器件才是真正的四方交叉，一个或者四个器件不能进行四方交叉。 匹配方法 Cross-quading technique. Split devices in half and place cross-corner to each other. Only works for exactly two devices. school of phye basics of ic layout design * 之四：共心 – 四方交叉 cross quading 匹配方法 metal and poly interconnections are more complex school of phye basics of ic layout design * 之四：共心 – 四方交叉 cross quading 匹配方法 cross coupling tiling (more sensitive to high-order gradients) school of phye basics of ic layout design * 之四：共心 – 四方交叉 cross quading 四方交叉里面包含了一种叫做经济型四方交叉, 这一方案可以采用A-B-B-A的共心技术。可以保证导线的寄生参数一致。 并且有良好的匹配、节省时间和空间。(P110) 匹配方法 school of phye basics of ic layout design * 之四：共心 – 四方交叉 cross quading 下面再介绍一种四个需要匹配的电阻 (或其它器件) 的设计方法, 也同样是采用共心法原理。 匹配方法 Common-centroid layout of four matched resistors (or elements) school of phye basics of ic layout design * 之四：共心 – 四方交叉 cross quading Common Centroid Patterns: 匹配方法 school of phye basics of ic layout design * 之五：差分布线一致 Matched interconnections: Specific resistance of metal lines Specific resistance of poly Resistance of metal-contact R