第一章半导体晶体结构(2011年版).ppt

半导体物理 晶格原胞(晶胞)： 晶体的有序周期性决定晶格的有序周期性，因此，整个晶体可以通过由结点构成的某一单元沿空间三个不同方向各按一定的距离作周期性地平移而构成，如图1－2所示a1，a2，a3 。这个重复单元就称为原胞或晶胞，平移一定的距离称为晶格的周期。 3. 晶列指数和晶面指数 晶列：在一个晶格结构中通过任意两个结点的连线。 晶列族：平行于某一晶列的所有晶列的组合。 1）晶列的标示方法 （2）用结晶学原胞基矢表示：从原点O到结点A的位矢为 2）晶面的标示方法 其中D为晶面离开原点的距离。所以有： （2）用结晶学原胞基矢为坐标轴表示： 1.2 晶体的结合 按原子结合力的性质分： 2. 晶体的结合 设两个原子间距为r，其相互作用能可表示为： 当 时为引力；当 时为斥力。平衡 时引力和斥力抵消，即： 对三维情况，设N为晶体的总质点数， 是第 i 个和第j 个质点的相互作用能，即第i个质点与所有其他质点的相互作用能为： 当晶体结合能U(r)已知时，便可以算出晶体的某些物理特性。 又P与V的关系为： （3）抗张强度－晶体所能负荷的最大张力 1.3 晶体中的热缺陷及位错 1. 热缺陷：当温度T不等于0K时，晶体中格点上原子发生热振动有几率离开格点位置而成为间隙原子和空位，即缺陷。热缺陷为点缺陷，包括： 2. 位错 位错有以下两种基本形式： （2）螺型位错 3. 通常半导体的晶格结构及缺陷 （1）硅、锗的金刚石型结构 硅(锗)原子的最外层四个价电子与最邻近的其它4个硅(锗)原子的一个价电子形成共价键而结合成晶体。 其结晶学原胞为面心立方(复式格子)，原子排列呈正四面体结构。 Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体闪锌矿型晶体结构 1.4 合金 1.合金的分类 2. 合金相图 （1）溶解度无限固溶体的相图---组成无限固溶体的金属A和金属B，在液态和固态及任意组分下，彼此均可无限制地互相溶解而不形成化合物。 （2）溶解度有限固溶体的相图－这种固溶体在液态下可以互溶，在固态下只能有限溶解（即只当溶质原子的浓度或组分比较少时才可以溶解），但不生成化合物。 （3）具有中间化合物的二元系相图 2）在液态下互溶，在固态下彼此不相溶解 但形成不稳定的化合物（即未到溶点时可以分解为固相和液相）。 思　考　题　 3. 4、画出二维正方格子的第一、二布里渊区。 　　（正方格子基矢：a1=ai，a2=aj) 1. 晶体的分类 （1）离子晶体－正负离子交替排列在晶格格点上， 依靠离子键结合成。 （2）原子晶体－晶格格点上交替排列的是原子， 依靠共价键结合而成。 （3）金属晶体－晶格格点上排列着失去价电子的 离子实，依靠金属键结合而成。 （4）分子晶体－占据晶格中格点位置的是分子或 饱和原子，依靠范德瓦耳斯力结合而成。 (5) 氢键晶体－通过氢键的作用而构成的晶体. 式中：a，b，m，n是特征常量，第一项是吸收能，第二项是排斥能。 晶体中质点结合依靠质点间的相互作用，这种相互作用包括远程吸引作用(异性电荷间的库仑引力)和近程排斥作用(同性电荷间库仑斥力和泡里原理斥力)。 结合能：指把晶体拆散成单个原子或分子所需的功或单个原子或分子结合成晶体所放出的能量。 设 时，有效外力为最大，可由下式确定： 所以，相互作用力可描述为： 图1－10 将原子拉开无限远时，相互作用力和作用能随距离的变化过程。 所以，总的作用能为： （1-5） 对于具有N质点的晶体，不考虑表面效应时(每个质点的地位是等同的)，上式可简化为： (1-6) （1）晶格常数－ 当质点结合成稳定的晶体时，结合能为极小值，因此晶格常数( ro ) 可由下式确定。 （2）压缩系数－由压缩系数定义有： 其中：V为晶体体积，P为压力。 (1-19) (1-18) K为体弹性模量。当T＝0K时，晶体的平衡 体积为V0，此时 所以： (1-22) (1-20) (1-21) 若晶体所受的张力使两原子之间距离正好 在相互作用力曲线的极小值处，即当 时，设此时对应的体积为 时，抗张强度为： 当 时，P为极大，由： 求得 的数值，代入（1－23）可得 。 (1-23) (1-24) 讨论题 1.是否存在与库